SKM195GAL124DN 是由赛米控(SEMIKRON)生产的一款IGBT模块,主要用于高功率电子应用,如工业电机驱动、变频器、电力电子转换系统等。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,具备高可靠性和高效率。SKM195GAL124DN 采用双管(Dual)拓扑结构,支持高电流和高电压操作,适合用于三相逆变器和变频器系统。
类型:IGBT模块
制造商:赛米控(SEMIKRON)
型号:SKM195GAL124DN
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):195A
短路电流能力:380A(@10ms)
工作温度范围:-40°C ~ +150°C
封装类型:双列直插式封装(Dual)
拓扑结构:双管(Dual)
芯片技术:IGBT4芯片
导通压降(VCEsat):约1.55V(典型值)
最大功耗:1600W
绝缘等级:符合UL 94 V-0标准
安装方式:螺钉安装
尺寸:约120mm x 70mm x 18mm
重量:约200g
SKM195GAL124DN 作为一款高性能的IGBT模块,具备多项先进的特性和优势。
首先,该模块采用了SEMIKRON第四代IGBT芯片技术(IGBT4),具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统的效率和可靠性。其导通压降典型值为1.55V,有助于减少功率损耗并提高能效。
其次,该模块具备较高的短路耐受能力,可承受高达380A的短路电流(持续10ms),这对于在工业应用中应对突发的短路故障至关重要。此外,其最大工作温度可达+150°C,具有良好的热稳定性,适用于高温环境下的运行。
该模块采用双列直插式封装(Dual),结构紧凑,便于安装和散热管理。其封装材料符合UL 94 V-0标准,具有良好的阻燃性能,适用于对安全性要求较高的电力电子系统。
另外,SKM195GAL124DN 还具有良好的电磁兼容性(EMC)性能,能够在高噪声环境中稳定运行。其内部设计优化了电流路径,降低了寄生电感,从而减少了开关过程中的电压尖峰,提高了系统的稳定性。
最后,该模块广泛应用于变频器、伺服驱动器、工业电机控制和可再生能源系统等领域,是一款成熟且可靠的选择。
SKM195GAL124DN 主要用于以下类型的高功率电子设备和系统:
1. **工业变频器**:作为变频器中的核心功率器件,用于控制交流电机的转速和扭矩,广泛应用于风机、泵类、起重机等设备中。
2. **伺服驱动系统**:用于高精度伺服控制系统中,实现对电机的快速响应和精确控制。
3. **UPS不间断电源**:在UPS系统中作为逆变器模块,提供高效的直流-交流转换功能。
4. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器和风力发电变流器,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。
5. **电能质量控制设备**:如有源滤波器和无功补偿装置,用于改善电网电能质量。
6. **电动汽车充电系统**:用于直流充电站或车载充电设备中的功率转换模块。
该模块凭借其高可靠性、高效率和良好的热管理性能,成为众多工业和能源系统中的理想选择。
SKM200GB12T4V1, SKM150GB12T4, SKM195GB12T4V1