时间：2025/5/19 8:46:23
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K9NCG08U5M-PIB0是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术，主要用于数据存储应用。该芯片具有高密度、低功耗和高性能的特点，适用于各种嵌入式系统、固态硬盘（SSD）和其他需要大容量存储的设备。
这款NAND闪存支持ONFI（开放NAND闪存接口）标准，能够实现快速的数据传输和可靠的存储性能。
容量：8GB
存储类型：MLC NAND Flash
接口标准：ONFI 3.0
工作电压Vcc：2.7V~3.6V
工作电压VccQ：1.7V~1.9V
页大小：16KB
区块大小：2MB
最大读取速度：40 MB/s
最大写入速度：20 MB/s
擦除区块数：1024
ECC要求：1bit/512Byte
K9NCG08U5M-PIB0具备高可靠性和长寿命的设计特点，其MLC技术允许每个存储单元保存2位数据，从而在相同物理空间内提供更大的存储容量。
芯片支持强大的错误校正码（ECC）功能，确保数据存储的完整性。同时，通过ONFI接口，该芯片可以轻松集成到各种主控方案中，简化了系统设计流程。
此外，它还具有较低的工作电压范围，有助于降低整体系统的能耗，非常适合对功耗敏感的应用场景。
K9NCG08U5M-PIB0广泛应用于消费类电子产品和工业领域，包括但不限于：
- 固态硬盘（SSD）
- USB闪存盘
- 嵌入式存储设备
- 数字电视和机顶盒
- 智能手机和平板电脑等移动设备
- 工业控制和监控系统
由于其大容量和稳定的性能表现，该芯片成为需要高密度存储解决方案的理想选择。
K9NCG08U5D, K9NCG08U1M
