时间：2025/9/5 7:02:58
阅读：8
BM23FR0.6-20DS-0.35V(895) 是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的铁电随机存取存储器（FRAM）。这款芯片以其非易失性和高速读写特性著称，适用于需要频繁写入和低功耗的应用场景。FRAM技术结合了RAM的高速读写能力和ROM的非易失性特性，使其在数据存储领域具有独特优势。
类型：FRAM（铁电随机存取存储器）
容量：23Kb
电压范围：0.6V - 3.5V
最大工作频率：20MHz
封装类型：DFN
封装尺寸：0.35V（具体尺寸需参考数据手册）
温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
接口类型：SPI
读写耐久性：10^14次循环
数据保持时间：超过10年
BM23FR0.6-20DS-0.35V(895) 的主要特性之一是其超低电压操作能力，支持0.6V至3.5V的宽电压范围，非常适合低功耗和电池供电设备的应用。该芯片的工作频率高达20MHz，能够实现高速数据访问，显著提高系统效率。
该FRAM器件采用了SPI（串行外设接口）通信协议，与现有微控制器和嵌入式系统的集成非常简便。SPI接口不仅简化了硬件设计，还减少了电路板空间占用。
此外，BM23FR0.6-20DS-0.35V(895) 具有卓越的耐久性和数据保持能力，支持高达10^14次的读写操作，数据保持时间超过10年，确保了数据存储的可靠性和长期稳定性。
该芯片采用小型DFN封装，尺寸紧凑，适合在空间受限的设计中使用。工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、汽车电子和智能仪表等场景。
BM23FR0.6-20DS-0.35V(895) 主要应用于需要高耐久性、低功耗和快速读写的场合，如智能电表、工业控制系统、医疗设备、汽车电子、数据记录器等。由于其非易失性，它也可以作为替代EEPROM和NOR Flash的高性能存储解决方案。
FM25V01-GTR、CY8C4014L-484XIT、IS66WVH2M8AALLB0A1LF
