时间：2025/6/29 15:53:50
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K9KAG08UOM-PCKO 是三星（Samsung）推出的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多级单元）技术。该芯片具有高密度存储能力，主要应用于需要大容量数据存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、嵌入式存储设备以及消费类电子产品的存储解决方案。
这款芯片基于先进的制程工艺制造，提供稳定的性能和较低的功耗，同时支持串行接口通信，使其在多种应用中具备灵活性和高效性。
存储容量：8GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
页大小：8KB
块大小：512KB
数据传输速率：最高400MB/s
擦写次数：3000次（典型值）
工作温度：-25°C 至 +85°C
K9KAG08UOM-PCKO 具备以下显著特性：
1. 高密度存储：采用先进的NAND Flash技术，提供8GB的大容量存储空间，适用于对存储需求较高的场景。
2. 低功耗设计：优化的电路设计确保了其在运行时的低功耗表现，非常适合移动设备和便携式电子产品。
3. 高速数据传输：支持Toggle Mode 2.0接口，提供高达400MB/s的数据传输速度，能够快速完成数据读写操作。
4. 稳定性与可靠性：经过严格测试，具有较长的使用寿命和高度的稳定性，适合长时间连续运行的应用环境。
5. 小型化封装：采用BGA封装形式，节省PCB板空间，方便集成到各种紧凑型设计中。
K9KAG08UOM-PCKO 芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
作为主要存储介质，提供快速的数据访问和大容量的存储空间。
2. USB闪存盘：
用于制造高性能的USB存储设备，满足用户对便携性和速度的需求。
3. 嵌入式系统：
适用于工业控制、汽车电子和物联网等领域的嵌入式存储解决方案。
4. 消费类电子产品：
如数码相机、平板电脑和智能手机中的内部存储模块，为用户提供可靠的存储体验。
K9KCG08U1M, K9KAG08U1M
