品牌：Samsung
　　型号：K3QF1F100G-XGCE
　　类型：UFS 3.1 嵌入式闪存
　　容量：128GB
　　接口标准：MIPI UFS 3.1
　　工作电压：VCC: 2.7V ~ 3.6V, VCCQ: 1.7V ~ 1.95V
　　数据传输速率：高达 2900MB/s（读取），1400MB/s（写入）
　　工艺技术：3D NAND V-NAND
　　封装形式：BGA 封装
　　工作温度范围：-25°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　符合RoHS环保标准：是

K3QF1F100G-XGCE 作为三星UFS 3.1系列的重要成员，具备多项先进技术特性，使其在高性能移动存储领域占据领先地位。首先，其采用双通道架构设计，配合串行命令队列（up to 32 deep command queue），能够实现高效的并发操作，显著提升多任务处理效率。相比前代UFS 2.1产品，UFS 3.1接口带宽翻倍，理论链路速率达到每通道2.9Gbps（HS-Gear4），从而支持高达2900MB/s的顺序读取速度和1400MB/s的顺序写入速度，极大缩短应用加载时间、提高大型文件传输效率。
　　其次，该芯片集成Host Performance Booster（HPB）功能，允许主机直接访问部分L2P（Logical-to-Physical）映射表，减少主控负担并降低访问延迟，尤其在随机读取场景下表现优异。同时支持Write Booster技术，利用SLC缓存机制提升写入性能，在短视频录制、高分辨率拍照连拍等高负载场景中提供稳定流畅的体验。
　　再者，该器件内置智能电源管理单元，可在待机或低负载状态下自动进入深度睡眠模式，有效降低静态功耗，延长终端设备电池续航。结合动态热调节机制，能够在高温环境下主动降频保护数据完整性，保障系统安全运行。此外，K3QF1F100G-XGCE 支持Secure Erase、Hardware-based Full Disk Encryption（可选）以及Trustonic或类似可信执行环境的安全框架，满足现代移动设备对数据隐私与安全防护的需求。
　　最后，该芯片通过了严格的工业级可靠性测试，包括耐久性（Endurance）、数据保持力（Data Retention）和抗干扰能力验证，适用于复杂电磁环境下的长期稳定运行。其BGA封装尺寸小巧，便于SMT贴装，兼容主流移动平台基板布局，是旗舰级智能手机首选的嵌入式存储方案之一。

K3QF1F100G-XGCE 主要应用于对存储性能要求极高的高端移动通信设备和便携式智能终端。典型应用场景包括旗舰级智能手机和平板电脑，这些设备通常搭载高分辨率摄像头、支持8K视频录制、运行大型3D游戏或多任务操作系统，需要快速的数据读写能力和低延迟响应，该UFS芯片正好满足此类需求。此外，它也被用于高性能AR/VR头显设备中，用于缓存大量图形资源和实时交互数据，确保画面流畅不卡顿。
　　在车载信息娱乐系统（IVI）和智能座舱平台中，随着车载应用日益丰富，对存储速度和可靠性的要求不断提升，K3QF1F100G-XGCE 凭借其宽温工作范围和高抗振性，成为部分高端车型的选择。同时，在工业级手持终端、医疗影像记录仪、无人机飞控系统等领域，该芯片也因其高耐用性和稳定性而得到应用。
　　另外，随着AIoT设备的发展，边缘计算节点常需本地高速存储来暂存传感器数据或模型参数，此款UFS芯片可作为核心存储单元集成于AI推理模组中。总之，凡是需要大容量、高速度、低功耗且高度可靠的嵌入式非易失性存储的场景，K3QF1F100G-XGCE 都是一个理想选择。

K3QF1G100G-XGCE
　　K3QF2G200G-XGCE
　　MTFC1TJAMDDW-1AWIT