时间：2025/4/30 20:05:14
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K9K8G08UOD-SIBO 是由三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片具有高密度存储能力，适用于需要大容量数据存储的应用场景。其设计旨在提供可靠的性能和较低的功耗，广泛应用于消费电子、工业控制以及嵌入式系统等领域。
这款芯片支持标准的ONFI（开放NAND闪存接口）协议，便于与其他系统的集成和使用。
容量：8GB
存储类型：MLC NAND Flash
接口：ONFI 2.3
电压：核心电压1.8V ± 0.1V，I/O电压2.7V ~ 3.6V
封装：TSOP
工作温度：-40°C ~ +85°C
页大小：8KB
块大小：512KB
传输速率：最高可达40MB/s
K9K8G08UOD-SIBO 芯片具有以下主要特性：
1. 高存储密度：能够提供8GB的存储空间，适合大规模数据存储需求。
2. 多层单元技术：使用MLC技术，可以在每个存储单元中保存多位数据，从而提高存储效率。
3. 可靠性：通过内置错误纠正码（ECC）机制，确保数据存储的可靠性。
4. 功耗优化：在待机和活动模式下均实现了低功耗设计，延长了电池供电设备的续航时间。
5. 广泛的工作温度范围：支持从-40°C到+85°C的工作温度，适应各种恶劣环境条件下的应用。
6. 兼容性强：遵循ONFI 2.3标准接口协议，方便与现有系统的集成和扩展。
K9K8G08UOD-SIBO 主要应用于以下领域：
1. 消费电子产品：如平板电脑、智能手机、数码相机等需要大容量存储的设备。
2. 工业控制：例如数据记录仪、监控系统以及其他需要稳定存储功能的工业设备。
3. 嵌入式系统：如网络路由器、交换机等需要内置存储器的通信设备。
4. 医疗设备：用于存储患者数据或诊断信息的医疗仪器。
5. 汽车电子：包括导航系统、行车记录仪等车载设备的数据存储。
K9K8G08UOB-SIBO, K9K8G08UOC-SIBO
