K9K8G08UOD-SIBO 是由三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术。该芯片具有高密度存储能力,适用于需要大容量数据存储的应用场景。其设计旨在提供可靠的性能和较低的功耗,广泛应用于消费电子、工业控制以及嵌入式系统等领域。
这款芯片支持标准的ONFI(开放NAND闪存接口)协议,便于与其他系统的集成和使用。
容量:8GB
存储类型:MLC NAND Flash
接口:ONFI 2.3
电压:核心电压1.8V ± 0.1V,I/O电压2.7V ~ 3.6V
封装:TSOP
工作温度:-40°C ~ +85°C
页大小:8KB
块大小:512KB
传输速率:最高可达40MB/s
K9K8G08UOD-SIBO 芯片具有以下主要特性:
1. 高存储密度:能够提供8GB的存储空间,适合大规模数据存储需求。
2. 多层单元技术:使用MLC技术,可以在每个存储单元中保存多位数据,从而提高存储效率。
3. 可靠性:通过内置错误纠正码(ECC)机制,确保数据存储的可靠性。
4. 功耗优化:在待机和活动模式下均实现了低功耗设计,延长了电池供电设备的续航时间。
5. 广泛的工作温度范围:支持从-40°C到+85°C的工作温度,适应各种恶劣环境条件下的应用。
6. 兼容性强:遵循ONFI 2.3标准接口协议,方便与现有系统的集成和扩展。
K9K8G08UOD-SIBO 主要应用于以下领域:
1. 消费电子产品:如平板电脑、智能手机、数码相机等需要大容量存储的设备。
2. 工业控制:例如数据记录仪、监控系统以及其他需要稳定存储功能的工业设备。
3. 嵌入式系统:如网络路由器、交换机等需要内置存储器的通信设备。
4. 医疗设备:用于存储患者数据或诊断信息的医疗仪器。
5. 汽车电子:包括导航系统、行车记录仪等车载设备的数据存储。
K9K8G08UOB-SIBO, K9K8G08UOC-SIBO