类型：NAND Flash
　　容量：8Gb（1GB）
　　组织结构：528MB x 8位架构
　　页大小：2048字节 + 64字节（备用区）
　　块大小：64页/块
　　总块数：4096块
　　数据总线宽度：8位
　　地址输入方式：复用I/O口
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V（典型值3.3V）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP I
　　编程时间：典型200μs/页
　　读取延迟：典型25μs
　　擦除时间：典型2ms/块
　　耐久性：10,000次编程/擦除周期
　　数据保留时间：10年（常温下）

K9K8G08U1A-IIBO 具备多项关键特性，使其在同类NAND Flash产品中表现出色。首先，其采用MLC（Multi-Level Cell）技术，允许每个存储单元存储两个比特的数据，显著提升了存储密度并降低了单位容量成本，适用于对价格敏感但又需要较大存储空间的应用场景。
　　其次，该芯片支持高效的块擦除和页编程操作，具有较快的读写响应速度，能够满足大多数嵌入式系统的实时性需求。内部集成的ECC（错误校验与纠正）机制可在一定程度上检测和修正数据错误，提高数据完整性与系统可靠性。虽然原始ECC能力有限，需依赖外部控制器进行强纠错处理，但在合理设计的系统中仍可实现稳定运行。
　　再者，K9K8G08U1A-IIBO 提供了灵活的命令接口，支持诸如随机读取、顺序读取、快速编程、多平面操作（Multi-plane Program）等多种操作模式，增强了系统访问效率。特别是多平面操作功能，允许在同一时间对两个不同平面的页面进行编程或擦除，有效提升写入带宽。
　　此外，该器件具备良好的环境适应性，可在工业级温度范围内正常工作，适合部署于恶劣环境下如车载设备、工业自动化控制系统等场合。其封装形式为48引脚TSOP-I，符合行业标准，易于PCB布局与焊接，有利于批量生产和维护。
　　最后，该芯片还内置了电源管理机制，在待机状态下功耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。整体而言，K9K8G08U1A-IIBO 在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是一款成熟可靠的中等容量NAND Flash解决方案。

K9K8G08U1A-IIBO 广泛应用于多种需要非易失性大容量存储的电子设备中。在消费电子领域，它常见于USB闪存驱动器、MP3播放器、数码相框和入门级智能手机中，作为主存储介质用于存放操作系统、应用程序及用户数据。由于其8Gb（1GB）的容量适中，特别适合那些不需要TB级存储但要求稳定读写性能的产品。
　　在移动通信设备方面，该芯片可用于功能手机或早期智能设备的固件存储，支持快速启动和频繁的数据更新操作。同时，因其具备较好的抗干扰能力和温度适应性，也被应用于部分车载信息娱乐系统中，用于存储导航地图、音频文件或系统配置信息。
　　在工业控制与物联网节点设备中，K9K8G08U1A-IIBO 常被选作数据记录器的核心存储单元，例如在环境监测仪、智能电表或远程终端单元（RTU）中持久化保存采集到的历史数据。这类应用往往要求长时间连续写入与断电保护能力，而该芯片的10,000次P/E周期和10年数据保持期正好满足这些需求。
　　此外，它还可用于小型固态存储模块的设计，如mSATA或CompactFlash卡的替代方案，尤其是在成本控制严格的项目中更具优势。一些嵌入式开发板和工控主板也会采用此类NAND Flash芯片来扩展系统存储空间。
　　值得一提的是，尽管当前市场已逐步向更高密度、更小封装的新型NAND迁移，K9K8G08U1A-IIBO 凭借其稳定的供货历史和技术文档完善性，仍在维修替换、老旧设备维护以及特定定制化项目中持续发挥作用。