型号：K9G8G08UOB
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：8Gb (1GB)
　　组织结构：528MB x 8位
　　工艺技术：2xnm MLC NAND
　　供电电压：Vcc=2.7~3.6V，VccQ=1.7~1.95V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-48 或 BGA
　　页面大小：2048字节 + 64字节备用区
　　块大小：64页/块
　　总线宽度：x8
　　接口类型：并行NAND接口
　　编程时间（典型）：200μs/页
　　擦除时间（典型）：2ms/块
　　耐久性：约3000次P/E周期
　　数据保持时间：10年（在40°C下）

K9G8G08UOB是一款基于MLC（Multi-Level Cell）技术的NAND闪存器件，具有高存储密度和良好的性价比，适用于多种嵌入式应用场景。该芯片采用2x纳米制程工艺制造，能够在单个晶粒上实现8Gb的存储容量，满足现代电子设备对小型化和大容量存储的需求。其内部结构由多个平面（Plane）、块（Block）和页（Page）组成，支持多平面操作，允许同时访问两个或多个独立的存储区域，从而显著提高数据吞吐率和整体性能。每个页面大小为2048字节主数据区加64字节备用区，可用于存放ECC校验码、坏块标记或其他元数据信息。该芯片支持串行地址输入方式，通过I/O引脚分时传输命令、地址和数据，减少了引脚数量，有助于简化PCB布线。
　　K9G8G08UOB具备较强的环境适应能力，工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于工业级和汽车级应用。其低功耗特性使其非常适合电池供电设备使用，例如便携式仪表、手持终端和可穿戴设备。在可靠性方面，该器件内置智能坏块管理机制，并配合外部控制器实现ECC纠错功能，通常支持每512字节纠正4位错误（基于BCH码），有效延长使用寿命并确保数据完整性。此外，该芯片支持硬件写保护功能，可通过特定引脚配置防止意外写入或擦除操作，提升系统安全性。
　　该器件还具备快速擦除和编程能力，典型擦除时间为2ms每块，编程时间为200μs每页，能够满足实时数据记录和频繁更新的应用需求。由于其标准化的并行NAND接口，K9G8G08UOB可以方便地与各类主控芯片（如ARM处理器、FPGA或专用NAND控制器）对接，广泛用于eMMC模块原型、USB启动盘、SD卡、机顶盒、打印机固件存储等领域。尽管随着ONFI标准的普及，串行和异步NAND逐渐被更高速的接口替代，但K9G8G08UOB凭借成熟的技术生态和稳定的供应链，仍在许多传统和升级型项目中持续使用。

K9G8G08UOB广泛应用于需要可靠、大容量非易失性存储的电子系统中。常见用途包括嵌入式系统的固件存储，例如工业PLC控制器、HMI人机界面设备和远程终端单元（RTU），其中程序代码和配置参数需长期保存且支持现场升级。在消费类电子产品中，它常用于数字电视、机顶盒、DVD播放器和网络摄像头中存储操作系统镜像和用户设置数据。此外，该芯片也被集成于各种便携式设备，如POS终端、条码扫描器和医疗监测仪器，承担日志记录和运行数据缓存的功能。在通信领域，路由器、交换机和基站控制模块利用其进行配置文件备份和运行日志存储。由于具备一定的温度适应性和抗干扰能力，K9G8G08UOB也适用于部分车载信息娱乐系统和汽车黑匣子设备。另外，在一些早期设计的SSD模组或USB闪存盘开发中，该芯片可作为基础存储单元配合主控芯片构建简易固态存储方案。得益于其成熟的配套工具链和广泛的行业支持，K9G8G08UOB仍然是许多中低端或对成本敏感项目的首选NAND闪存器件之一。

K9GAG08U0M
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