型号：K9FAG08UOM-HIBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：8Gb (1GB)
　　工艺制程：2xnm class
　　接口类型：Parallel NAND
　　封装形式：TSOP-1 (48-pin)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　编程时间：典型值约200μs
　　擦除时间：典型值约2ms
　　读取访问时间：最大50ns
　　页大小：4096字节 + 224字节（备用区）
　　块大小：256页/块（即每块1Mb）
　　总块数：4096块
　　地址周期：6 cycles
　　支持功能：内部Copy-back、Multi-plane操作、Bad Block Marking
　　可靠性：可承受10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

K9FAG08UOM-HIBO 具备多项先进技术特性，确保其在复杂应用场景下的高效运行和长期稳定性。
　　K9FAG08UOM-HIBO 采用多层单元（MLC）技术，在保证高存储密度的同时有效控制成本。其8Gb（1吉比特）的总容量由单个芯片提供，通过4096个可独立擦除的块组织数据，每个块包含256个页，每页主区容量为4096字节，另有224字节用于存储ECC校验码、坏块标记及其他元数据。这种结构优化了文件系统的管理效率，并支持高效的垃圾回收和磨损均衡算法。
　　该器件支持多平面（Multi-plane）操作，允许同时对两个或多个平面执行编程或擦除操作，显著提升了写入和擦除速度。例如，可以并行地在一个平面进行编程的同时对另一个平面进行随机读取，从而提高整体吞吐量。此外，内置的Copy-back功能无需经过外部控制器即可实现页间数据复制，减少了系统负担并加快了数据迁移过程。
　　为了增强数据可靠性，该芯片支持硬件辅助ECC（错误校正码），推荐使用至少8位/512字节的纠错能力来应对MLC NAND随使用次数增加而可能出现的位翻转问题。出厂时已标记所有初始坏块（通常位于块0），用户可通过特定命令检测和管理后续产生的坏块，确保系统稳定运行。
　　在电气特性方面，该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容3.3V逻辑电平，适合大多数嵌入式平台。其快速的读取访问时间（最大50ns）和高效的命令集使其适用于对响应时间敏感的应用。TSOP-48封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产。
　　该芯片符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适应全球绿色制造要求。综合来看，K9FAG08UOM-HIBO 在容量、性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是许多中高端嵌入式系统的理想选择。

K9FAG08UOM-HIBO 广泛应用于需要大容量非易失性存储的各种电子设备中。
　　在消费类电子产品领域，该芯片常见于智能手机和平板电脑中，作为操作系统、应用程序及用户数据的存储介质。由于其高密度和低成本优势，非常适合移动设备对小型化和高容量的需求。同样，在数码相机和摄像机中，它被用来保存高清照片和视频文件，支持连续拍摄和快速回放。
　　在计算机外围设备方面，该芯片可用于构建经济型固态硬盘（SSD），特别是mSATA或Mini PCIe接口的小尺寸SSD，适用于轻薄笔记本或工业控制设备。此外，它也是高性能USB闪存盘和存储卡（如microSD卡模组）的核心组件之一，提供可靠的文件存储能力。
　　在工业和通信设备中，K9FAG08UOM-HIBO 常用于网络路由器、交换机、POS终端、车载信息娱乐系统以及工业PLC控制器等设备中，用于存储固件、配置参数和运行日志。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣环境下稳定运行，满足工业级可靠性要求。
　　该芯片还适用于需要本地数据缓存或固件升级功能的物联网（IoT）网关、智能仪表和安防监控设备。配合专用的NAND Flash控制器，它可以实现FTL（Flash Translation Layer）映射、坏块管理、磨损均衡和掉电保护等功能，从而构建完整的嵌入式文件系统（如YAFFS、JFFS2或基于Linux MTD的UBIFS）。
　　总之，凭借其高容量、高速度和高可靠性，K9FAG08UOM-HIBO 成为众多嵌入式系统设计师首选的NAND Flash解决方案之一。

MT29F1G08ABAEA NAND 8Gb 3.3V TSOP-48
　　TC58NVG1S3HxAIx 8Gb 3.3V NAND Flash TSOP-48
　　IS2TNA08-08 8Gb 3.3V TSOP-48