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WB160808B121QNT05 发布时间 时间:2025/11/6 3:17:16 查看 阅读:16

WB160808B121QNT05是一款由Winbond(华邦电子)推出的高性能、低功耗的串行外设接口(SPI)兼容的电阻式可编程记忆体(ReRAM)芯片。该器件采用先进的ReRAM技术,具备非易失性存储特性,能够在断电后依然保持数据完整性,适用于对可靠性与持久性有较高要求的应用场景。其封装尺寸为紧凑型1608(即公制2012),厚度仅为0.8mm,适合空间受限的便携式电子产品设计。该型号中的‘121’表示其存储容量为121Mbit(即16MB),而‘QNT05’则代表其工作温度范围为-40°C至+85°C,并符合工业级标准。该器件支持标准SPI和快速读写模式,最高时钟频率可达104MHz,具备优异的数据传输性能。此外,WB160808B121QNT05集成了多种安全保护机制,包括写保护引脚(W#)、软件写保护、状态寄存器锁定以及顶部/底部扇区保护功能,有效防止误操作导致的数据损坏。该芯片广泛应用于物联网终端设备、可穿戴设备、智能传感器节点、工业控制模块及小型嵌入式系统中,作为代码存储或数据记录介质。
  该器件在制造工艺上采用了先进的CMOS与过渡金属氧化物复合材料,实现了高耐久性(典型擦写次数达10万次以上)和长达10年的数据保持能力。其低电压工作范围(2.3V~3.6V)使其能够兼容多种主流微控制器,并可在待机模式下实现极低的静态电流(通常低于1μA),从而延长电池供电设备的使用寿命。同时,该芯片通过了RoHS环保认证,符合现代绿色电子产品的设计规范。

参数

型号:WB160808B121QNT05
  制造商:Winbond
  存储类型:ReRAM(电阻式随机存取存储器)
  接口类型:SPI(四线串行外设接口)
  存储容量:121 Mbit (16 MB)
  工作电压:2.3V ~ 3.6V
  时钟频率:最高支持104 MHz
  封装尺寸:1608(2.0mm x 1.2mm x 0.8mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  写入耐久性:100,000 次/扇区
  数据保持时间:10 年 @ 85°C
  封装形式:DFN-8(无铅薄型封装)
  写保护功能:支持软件及硬件写保护
  启动模式:支持标准SPI模式(Mode 0, Mode 3)

特性

WB160808B121QNT05采用先进的电阻式存储单元结构,利用导电细丝在非导电介质中的形成与断裂来实现数据的“0”与“1”状态切换,这一机制相较于传统浮栅型Flash具有更快的写入速度和更高的耐久性。其核心优势之一是极短的编程时间,典型页编程时间为0.2ms,远优于同类NOR Flash产品,特别适用于需要频繁更新小量数据的场景,如传感器日志记录、配置参数存储等。此外,该器件支持字节级擦写操作,无需进行整块或扇区级别的大规模擦除,极大提升了存储效率并减少了无效写入带来的能耗损耗。在读取性能方面,其支持快速读取指令(Fast Read),配合高频SPI接口可实现高达104MHz的数据吞吐率,满足实时性要求较高的嵌入式应用需求。
  该芯片内置智能电源管理电路,在待机或休眠状态下自动进入低功耗模式,静态电流可低至0.8μA,显著降低系统整体能耗,非常适合用于依赖电池供电的物联网边缘设备。器件还具备出色的抗干扰能力与温度稳定性,在宽温范围内(-40°C至+85°C)均能稳定运行,确保在恶劣工业环境下的可靠性。安全性方面,除了基本的W#引脚硬件保护外,还支持通过指令集设置状态寄存器中的保护位,实现对特定地址区域的锁定,防止未经授权的写入或擦除操作。此外,该型号支持双I/O和Quad I/O模式,进一步提升数据传输带宽,适应未来高吞吐量应用的发展趋势。所有电气特性和可靠性指标均经过严格测试,并提供完整的AEC-Q100认证选项,确保产品在严苛条件下的长期稳定性。

应用

WB160808B121QNT05因其高集成度、低功耗和高耐久性等特点,被广泛应用于多个前沿科技领域。在物联网(IoT)设备中,它常用于存储传感器采集的历史数据、网络配置信息以及固件更新补丁,例如智能家居中的温湿度监测节点、无线网关的日志缓存模块等。在可穿戴设备如智能手表、健康手环中,该芯片可用于保存用户偏好设置、运动轨迹记录和生物特征数据,其小尺寸封装有助于缩小PCB面积,提升产品美观度与佩戴舒适性。工业自动化控制系统也大量采用此类器件,用于PLC模块中的参数存储、HMI人机界面的图形缓存以及远程终端单元(RTU)的通信协议栈备份。
  在汽车电子领域,尽管该型号未明确标称车规级,但其工业级温度范围和高可靠性使其可应用于部分车载辅助系统,如车载T-Box的信息记录单元、行车记录仪的配置存储区等。此外,在医疗电子设备中,该芯片可用于存储患者使用记录、设备校准参数和诊断日志,确保关键数据在断电后不丢失。消费类电子产品如无线耳机、智能音箱、AR/VR设备也逐步引入ReRAM技术以替代传统SPI Flash,提升响应速度与使用寿命。由于其支持快速启动和即时写入,特别适合需要“即时唤醒”功能的设备,避免因Flash擦写延迟导致的用户体验下降。总体而言,WB160808B121QNT05凭借其技术先进性与综合性能优势,已成为高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案之一。

替代型号

W25Q128JVSIQ
  A25LQ128

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