型号：K9F8008UOM-TCBO
　　制造商：Samsung
　　类型：NAND Flash
　　容量：64 Mbit (即8 MB)
　　组织结构：512字节页 × 16384页 × 1个平面
　　电压：2.7V 至 3.6V
　　接口：8位并行
　　封装：TSOP-1, 48引脚
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　读取方式：页级随机访问
　　擦除单位：块（每块包含32页）
　　写入方式：页编程
　　耐久性：约10万次擦写周期
　　数据保持时间：10年（典型值）

K9F8008UOM-TCBO具备典型的NAND闪存架构特性，采用浮栅晶体管技术实现非易失性数据存储，能够在断电后长时间保留信息。其内部存储阵列由多个块组成，每个块包含32个页，每页可存储512字节的数据，总容量为8MB。这种结构优化了大容量数据的连续读写效率，适合文件系统类应用。该芯片通过I/O口复用地址与数据总线，减少了引脚数量，同时支持片选（CE）、写使能（WE）、读使能（RE）和命令锁存使能（CLE）等控制信号，实现对存储单元的精确控制。
　　该器件支持标准的NAND命令协议，如读ID、读状态、页读取、页编程和块擦除等操作。命令通过I/O端口输入，并由CLE、ALE等信号区分命令、地址和数据。其内建的状态寄存器可用于查询操作完成情况，例如编程是否成功或是否发生错误。此外，K9F8008UOM-TCBO具有一定的ECC纠错能力要求，通常需要外部控制器配合进行错误校验与纠正，推荐使用至少1位/512字节的ECC机制以确保数据完整性。
　　该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于宽电压供电环境，尤其适合电池供电的便携设备。在功耗方面，它支持待机模式以降低静态电流消耗，有利于延长设备续航时间。虽然不支持多平面操作或缓存编程等高级功能，但其简单的操作时序使其易于集成到基于MCU或专用控制器的系统中。由于制造批次不同，可能存在出厂时存在少量初始坏块的情况，因此系统设计时必须实现坏块标记与映射机制，避免将关键数据写入不可靠区域。整体而言，这款芯片以其成熟的技术、稳定的性能和广泛的文档支持，成为许多嵌入式开发者熟悉的选择。

K9F8008UOM-TCBO广泛应用于多种需要中等容量非易失性存储的电子系统中。常见用途包括工业控制设备中的程序存储与数据记录模块，用于保存配置参数、运行日志或固件镜像。在早期的便携式多媒体播放器、数码相框和电子书阅读器中，该芯片也常被用来存储操作系统、用户界面资源或媒体文件。由于其并行接口提供了相对较高的数据吞吐率，因此适合对读写速度有一定要求但又不需要高性能SSD级别存储的场合。
　　在通信设备领域，如网络交换机、路由器或调制解调器中，K9F8008UOM-TCBO可用于存放启动代码（Bootloader）或设备固件，配合主处理器完成系统初始化过程。另外，在一些医疗仪器、测试测量设备和POS终端中，该芯片也被用于持久化存储校准数据、用户设置或交易记录。得益于其-40°C至+85°C的工业级工作温度范围，该器件可在恶劣环境下稳定运行，满足工业现场的应用需求。
　　尽管目前主流趋势转向串行NOR Flash、Serial NAND或eMMC/UFS等更高集成度的解决方案，但K9F8008UOM-TCBO仍在一些维护项目、替代零件更换或低成本设计中发挥作用。特别是在原有设计已采用该芯片且无需大幅改动硬件的情况下，继续使用该型号有助于保持系统兼容性与供应链连续性。此外，对于教学实验、嵌入式开发学习平台或DIY项目，该芯片也是理解NAND Flash工作机制的理想对象，因其资料丰富、接口直观而受到开发者欢迎。

K9F8G08U0M
　　MT29F8G08
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