时间：2025/7/16 12:55:28
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K9F2G08U0M-YIB00是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。该型号属于3.3V供电系列，具有高密度存储和快速数据传输能力。它广泛应用于各种需要大容量存储的设备中，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、多媒体播放器以及其他嵌入式系统。
这款芯片的主要特点是其大容量存储能力以及较低的功耗设计，使其非常适合移动设备和其他对功耗敏感的应用场景。
类型：NAND Flash
存储容量：2 Gb (256 MB)
接口：8-bit NAND
工作电压：3.3V
封装形式：TSOP-48
页大小：2 Kbytes
块大小：128 Pages
数据传输速率：最大25 MB/s
擦写次数：至少100,000次
工作温度范围：0°C ~ 70°C
待机电流：最大10 μA
K9F2G08U0M-YIB00采用成熟的NAND闪存技术，支持随机读取和顺序写入操作，具有较高的可靠性和稳定性。
主要特点包括：
1. 高密度存储：提供2 Gb的存储空间，在当时属于高密度存储方案之一。
2. 快速数据访问：支持高达25 MB/s的数据传输速率，能够满足多种应用需求。
3. 低功耗设计：典型工作电流在100mA左右，待机电流极低，适合电池供电设备。
4. 稳定性：具备良好的抗干扰能力和长时间使用后的数据保持能力。
5. 广泛兼容性：支持标准的NAND接口协议，易于集成到现有系统中。
此外，该芯片还支持ECC（错误检查与纠正）功能，进一步提高了数据存储的可靠性。
K9F2G08U0M-YIB00适用于多种需要非易失性存储的应用场合，具体包括：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质的一部分，用于提高性能和可靠性。
2. USB闪存盘：提供经济高效的便携式存储解决方案。
3. 多媒体播放器：存储音频、视频等文件。
4. 嵌入式系统：如工业控制、网络通信设备中的程序代码或数据存储。
5. 移动设备：如早期智能手机和平板电脑中的内部存储组件。
由于其高容量和低功耗特性，该芯片特别适合于移动设备和便携式电子产品。
K9F2G08U0D, K9F2G08U1M, K9F2G08U0A
