时间：2025/6/20 13:07:19
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K9F2G08U0B-PIB0 是三星公司生产的一款NAND Flash存储芯片，采用3.3V电源电压设计。该芯片具有高可靠性和高性能特点，广泛应用于各种数据存储设备中。这款芯片提供大容量的数据存储解决方案，并且具有较快的读写速度以及较低的功耗，非常适合于需要高效存储和快速数据传输的应用场景。
此型号属于早期的NAND Flash系列之一，基于多层单元（MLC）技术，提供了较大的存储密度和经济高效的存储方案。
类型：NAND Flash
容量：2Gb (256MB)
接口：8-bit asynchronous
Vcc电压：3.3V ± 0.3V
Vpp电压：Not required
工作温度：-40°C to +85°C
封装形式：46-ball FBGA
数据保留时间：10 years
页大小：2K bytes + 64 bytes ECC and Spare Area
块大小：128 pages
Erase时间：典型值2ms / 最大值5ms
Page Read时间：典型值25μs / 最大值70μs
Page Program时间：典型值200μs / 最大值700μs
K9F2G08U0B-PIB0 具有以下主要特性：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可实现2Gb的存储容量。
2. 支持8位并行数据传输接口，提供较高的数据吞吐量。
3. 内置错误检查与纠正（ECC）功能，保证数据的完整性和可靠性。
4. 快速擦除和编程操作时间，提升了整体系统性能。
5. 较宽的工作温度范围，能够适应各种工业环境下的应用需求。
6. 封装紧凑，适合对空间要求严格的电子设备。
7. 使用简便，兼容多种主流微控制器和处理器平台。
K9F2G08U0B-PIB0 主要应用于以下领域：
1. 嵌入式系统中的固态存储器。
2. 数字消费类电子产品，如MP3播放器、数码相机等。
3. 手机和其他便携式电子设备中的数据存储。
4. 工业控制系统的数据记录与保存。
5. 网络通信设备中的日志存储和固件更新。
6. 医疗设备中的患者数据存储。
7. 汽车电子系统中的导航地图数据存储。
8. 各种需要非易失性存储器的应用场合。
K9F2G08U1M, K9F2G08R0A, K9F2G08U0D
