型号：K9F2G08U0A-PCB0T
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：2 Gb (256 MB)
　　组织结构：2G x 8 Bit
　　工艺制程：110nm
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　接口类型：并行接口
　　页大小：2112 字节 (2048 + 64)
　　块大小：64 页/块
　　总块数：2048 块
　　编程时间：典型200μs/页
　　擦除时间：典型2ms/块
　　读取延迟：约25μs
　　封装形式：TSOP-1 (48-pin)
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　待机电流：< 1mA
　　编程电流：~2mA
　　擦除电流：~2mA

K9F2G08U0A-PCB0T具备优异的性能和可靠性，其核心特性之一是高效的存储架构设计。该芯片采用NAND型Flash结构，通过串联的存储单元减少了晶体管数量，从而实现了高密度存储和较低的单位成本。每个存储页为2112字节，其中2048字节用于用户数据存储，64字节用于ECC校验、坏块标记和其他管理信息，这种设计有助于提高数据完整性并支持错误检测与纠正机制。芯片内部划分为2048个块，每个块包含64页，支持按块进行擦除操作，而写入则以页为单位进行，符合典型的NAND Flash操作模式。该器件支持自动编程和自动擦除功能，内部集成了地址锁存和数据缓冲机制，能够有效提升写入效率并降低主机控制器负担。
　　K9F2G08U0A-PCB0T具有良好的耐久性，标称可承受100,000次以上的程序/擦除周期（P/E cycles），远高于许多同类产品，适用于频繁写入的应用环境。同时，其数据保持能力长达10年以上，在正常工作条件下能确保长期稳定的数据存储。该芯片还具备低功耗特性，待机模式下电流低于1mA，适合电池供电或对能耗敏感的系统应用。此外，它支持硬件写保护功能，可通过特定引脚配置防止意外写入或擦除，增强数据安全性。
　　在电气特性方面，K9F2G08U0A-PCB0T工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容3.3V逻辑电平，便于与主流微控制器和SoC直接接口。其TSOP-48封装尺寸紧凑，引脚间距为0.5mm，适用于空间受限的设计。芯片支持标准的NAND命令集，如Read、Program、Erase、Status Read等，可通过I/O引脚传输命令、地址和数据，通信时序符合JEDEC规范，易于集成到现有系统中。内置的状态寄存器可提供操作完成、是否出错等反馈信息，便于系统实时监控操作状态。

K9F2G08U0A-PCB0T因其高容量、低成本和高可靠性，被广泛应用于多种嵌入式和消费类电子产品中。常见应用包括数码相机、MP3播放器、便携式导航设备（PND）、机顶盒、智能电视等多媒体终端，作为主存储介质用于存放操作系统、应用程序和用户数据。在工业控制领域，该芯片可用于PLC控制器、HMI人机界面、数据记录仪等设备中，实现固件存储和运行日志记录。由于其良好的温度适应性（-40°C至+85°C），也适用于户外或恶劣环境下的电子系统。
　　在通信设备中，K9F2G08U0A-PCB0T可用于路由器、交换机或网络附加存储（NAS）设备中的配置存储或固件备份区域。此外，它也是早期智能手机和平板电脑中常见的存储组件之一，尤其在Android系统的低端机型中广泛应用。由于采用并行接口，该芯片适合与具备NAND控制器的SoC（如S3C2440、DM6446等ARM或DSP平台）配合使用，构成完整的嵌入式存储解决方案。在开发板和教学实验平台上，K9F2G08U0A-PCB0T也常被用作学习NAND Flash读写时序、坏块管理、ECC算法等底层存储技术的教学实例。随着eMMC和SPI NAND的普及，该芯片逐渐被更先进的封装形式替代，但在存量项目和维修替换市场中仍具有重要地位。

MT29F2G08ABAEAWP-IT: Micron出品的兼容型号，同为2Gbit x8并行NAND Flash，TSOP封装，支持类似电气和时序特性
　　HY27UF084G2B: Hynix（现SK hynix）生产的兼容器件，2Gbit容量，页大小相同，适用于相同应用场景
　　S34ML02G200TFI000: Cypress/SRAM提供的替代方案，支持多厂商兼容性，具备类似的性能指标和封装形式