您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > K9F2808U0C-XIB0

K9F2808U0C-XIB0 发布时间 时间:2025/7/29 11:32:41 查看 阅读:5

K9F2808U0C-XIB0 是三星(Samsung)推出的一款NAND闪存芯片,广泛应用于嵌入式系统、存储设备、消费类电子产品以及工业控制设备中。该芯片是一款8位数据总线宽度的NAND闪存,具有较高的存储密度和可靠性。K9F2808U0C系列的容量为256MB,适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。

参数

容量:256MB
  电压:2.7V - 3.6V
  接口类型:8位 NAND 接口
  读取时间:最大 50ns
  写入时间:最大 50ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

K9F2808U0C-XIB0 是一款高性能的NAND闪存芯片,采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。其256MB的存储容量适合用于固件存储、数据缓存、日志记录等应用场景。芯片支持页读取、块擦除和随机读取等操作,具备良好的数据保持能力。此外,该芯片具备ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中检测和纠正错误,提升系统的稳定性和数据完整性。K9F2808U0C-XIB0 的工作温度范围为工业级(-40°C 至 +85°C),适合在各种恶劣环境下稳定运行。
  其TSOP封装形式有助于减少PCB板空间占用,提高集成度。NAND闪存的编程和擦除操作采用内部状态机控制,简化了外部控制器的设计。该芯片广泛用于MP3播放器、数码相机、USB存储设备、嵌入式系统和工业控制系统中,是一款性能稳定、应用广泛的存储器芯片。

应用

该芯片常用于嵌入式系统的固件存储、数码相机和MP3播放器的存储介质、USB闪存盘、工业控制设备的数据存储、车载导航系统以及智能家电等领域。由于其高容量和高可靠性,也适用于需要频繁读写和长期稳定运行的设备。

替代型号

K9F2808U0D-PIB0, K9F2G08U0B-PCB0, K9F5608U0E-PCB0

K9F2808U0C-XIB0资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载