时间：2025/8/17 3:16:37
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CJD02N60 是一款由华润微电子（China Resources Microelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率场合。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2A
导通电阻(Rds(on))：≤2.5Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、DIP-8等
CJD02N60 MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，使得其导通电阻更低，开关损耗更小，从而提高了整体效率。
该器件的漏源耐压高达600V，能够胜任高压电源转换系统的需求，例如PFC（功率因数校正）电路、高压DC-DC转换器等。
其栅极驱动电压范围宽，支持±20V的栅源电压，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。
良好的热管理性能使其在高温环境下仍能保持稳定运行，提升了系统的可靠性。
此外，CJD02N60具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统效率。
封装形式包括TO-220和DIP-8，方便用户根据电路设计选择合适的封装类型。
CJD02N60 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器中的高压侧开关，提高转换效率并减少发热。
2. DC-DC转换器：在隔离式或非隔离式转换器中作为主开关元件，实现高效能的能量转换。
3. 电机驱动电路：用于控制电机的启停和调速，尤其是在需要高压供电的场合。
4. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如LED驱动、加热元件控制等。
5. 工业自动化设备：作为功率控制单元的核心元件，适用于PLC、变频器、伺服驱动等工业控制系统。
SiHF02N60E、2N60、FQP02N60C、IRF840、CJQ02N60
