型号：K9F1G08UOCPCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：1Gbit (128MB)
　　单元结构：SLC (单层单元)
　　数据总线宽度：8位
　　页大小：2048字节 + 64字节备用区
　　块大小：64页/块
　　总块数：1024块
　　输入/输出电压：3.3V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装类型：TSOP-1 (48引脚)
　　编程时间（典型）：200μs/页
　　擦除时间（典型）：2ms/块
　　ECC支持：片外ECC建议使用（如控制器支持）
　　访问时间：25ns（最大）
　　待机电流：≤12μA
　　编程电流：≤30mA

K9F1G08UOCPCBO 具备出色的性能与可靠性，基于SLC架构设计，每个存储单元仅存储1比特数据，从而显著提升了写入耐久性和数据保持能力。其典型擦写寿命可达10万次以上，远高于MLC或TLC类型的NAND Flash，在频繁写入的应用场景中表现尤为突出。该芯片采用高效的命令-地址-数据复用接口，支持多种标准操作指令，包括页读取、页编程、块擦除和随机数据读取等功能。内置的状态寄存器可反馈操作完成状态，便于主控芯片判断是否需等待操作结束。此外，其64字节的备用区域可用于存放ECC校验码、坏块标记或其他元数据，增强系统的容错能力和管理灵活性。
　　该器件支持按页编程（不可跨页）和按块擦除的操作模式，所有写入前必须确保目标区域已被擦除。为了防止意外写入或擦除，芯片提供硬件写保护功能，通过WPN引脚实现对整个存储阵列的锁定。同时，CLE（Command Latch Enable）和ALE（Address Latch Enable）信号控制命令与地址的锁存时机，配合CE（Chip Enable）、RE（Read Enable）和WE（Write Enable）等控制信号实现精确时序控制。K9F1G08UOCPCBO 还具备较低的功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电或节能要求较高的系统使用。由于其成熟的工艺和稳定的供货记录，该芯片被广泛集成于各类嵌入式主板和工业模块中，具有良好的兼容性与技术支持基础。

K9F1G08UOCPCBO 广泛应用于各种需要非易失性大容量存储的嵌入式系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的固件存储，例如PLC控制器、HMI人机界面设备和工控机，这些设备对数据可靠性和长期稳定性有较高要求，而SLC NAND的高耐久性正好满足此类需求。在网络通信设备如路由器、交换机和防火墙中，该芯片用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统镜像和配置文件，确保设备在断电后仍能正常重启并恢复运行。在消费类电子产品方面，曾用于早期的数字电视、机顶盒、电子书阅读器和多功能打印机中，作为系统程序和用户数据的存储介质。
　　此外，该芯片也适用于医疗仪器、测试测量设备和车载信息终端等对环境适应性和数据完整性要求较高的领域。由于其TSOP-48封装便于焊接和维护，适合批量生产和返修操作，因此在中小批量项目中具有较高的实用性。尽管当前主流市场已逐步转向更高密度的封装和更先进的工艺节点，但K9F1G08UOCPCBO 因其稳定性和可获取性，仍在许多 legacy 系统升级、备件替换和维修场景中发挥重要作用。对于需要长期供货保障和软硬件兼容性的项目，该芯片仍然是一个可靠的选择。

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