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DTA144WET1 发布时间 时间:2025/7/16 16:58:01 查看 阅读:11

DTA144WET1是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
  该芯片采用了TO-252封装形式,具备良好的散热性能和电气稳定性。其设计旨在满足现代电子系统对高效能和小体积的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:2.8mΩ
  总功耗:190W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

DTA144WET1的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在特定条件下仅为2.8mΩ,从而减少了传导损耗。
  2. 高速开关能力,能够显著降低开关损耗,提高整体效率。
  3. 提供强大的雪崩能量承受能力,增强器件的可靠性。
  4. 支持高频率操作,适合多种复杂应用场景。
  5. 内置反向恢复电荷较低的体二极管,优化了续流性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

这款功率MOSFET适用于多种电力电子设备:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具、家用电器等产品的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统的负载切换及保护功能。
  4. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
  5. 各类DC-DC转换器和逆变器模块。
  DTA144WET1凭借其优异的性能表现,在这些领域中表现出色。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP5500
  IXFN40N06T2

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DTA144WET1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装SC-75,SOT-416
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA144WET1OS