FQD5N30 时间：2025/6/3 20:22:46 阅读：4

FQD5N30是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，广泛用于电源管理、电机驱动、逆变器等场景。
　　这款MOSFET通过优化的芯片设计实现了高效的功率转换，并且在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：94A
　　导通电阻：1.6mΩ
　　栅极电荷：85nC
　　总功耗：78W
　　工作结温范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-220

特性

FQD5N30具备以下显著特性：
　　1. 高电流承载能力：其高达94A的连续漏极电流使其非常适合大功率应用。
　　2. 极低的导通电阻：仅为1.6mΩ，这可以减少功率损耗并提高效率。
　　3. 快速开关性能：低栅极电荷使得开关时间更短，从而降低开关损耗。
　　4. 高可靠性：器件能够在宽温度范围内稳定运行，适合工业和汽车级应用。
　　5. 热性能优越：TO-220封装提供了良好的散热能力，进一步提高了器件的可靠性。
　　6. 符合RoHS标准：环保且满足国际法规要求。

应用

FQD5N30主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括AC/DC和DC/DC转换器。
　　2. 电机驱动：控制各种类型的电动机，如步进电机、无刷直流电机等。
　　3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他电力转换设备。
　　4. 负载切换：在配电系统中实现负载的快速切换。
　　5. 电池管理系统：保护电池免受过充或过放的影响。
　　6. 电子负载：模拟实际负载条件进行测试与验证。