K9F1208U0B 是三星公司推出的一款 NAND Flash 存储芯片,主要用于数据存储和代码执行。这款芯片采用了先进的制造工艺,具有高密度、高速度和低功耗的特点。K9F1208U0B 提供了大容量的非易失性存储解决方案,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
该芯片支持标准的 NAND 接口协议,具备页编程、块擦除和读取等功能,同时内置了错误检测与纠正机制,确保数据的可靠性。此外,其紧凑的设计和多种封装形式使其能够灵活适应不同的应用需求。
容量:128Mb(16MB)
接口类型:NAND Flash
工作电压(Vcc):2.7V 至 3.6V
核心电压(Vcore):1.8V
数据传输模式:8位并行
封装形式:TSOP-48
工作温度范围:-25℃ 至 +85℃
擦写寿命:100,000 次(典型值)
数据保存时间:10年(在25°C条件下)
1. 高密度存储:单颗芯片提供128Mb容量,满足中小型嵌入式系统的存储需求。
2. 快速数据访问:支持高达20MHz的数据传输速率,适合需要高效存储的应用场景。
3. 强大的纠错功能:内嵌ECC引擎可以自动检测和纠正单比特错误,保证数据完整性。
4. 多功能性:除了基本的读/写/擦除操作外,还支持坏块管理、备用块替换等高级功能。
5. 低功耗设计:待机模式下的电流消耗极低,非常适合便携式电池供电设备。
6. 可靠性高:经过严格测试,确保在各种环境下都能稳定运行。
K9F1208U0B 广泛用于需要非易失性存储的各种领域,包括但不限于以下方面:
1. 移动电话和其他手持设备中的固件和用户数据存储。
2. 数码相机及摄像机中照片和视频文件的临时或永久保存。
3. USB闪存盘和SD卡等可移动存储介质的核心组件。
4. 网络路由器、交换机及其他通讯设备内的配置文件和日志记录。
5. 工业自动化控制系统里的程序代码和参数备份。
6. 游戏机和个人电脑BIOS升级所需的外部扩展存储器。
K9F2808U0C, K9F5608U0D, K9F1G08U0A