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K9E2G08B0M-YCB0 发布时间 时间:2025/7/16 12:59:02 查看 阅读:4

K9E2G08B0M-YCB0 是三星(Samsung)生产的 NAND 闪存芯片,属于 K9 系列。该芯片主要用于数据存储应用,提供大容量、高可靠性和快速的数据读写能力。其设计适用于消费电子设备,如 USB 闪存盘、记忆卡、固态硬盘(SSD)和其他需要嵌入式存储的设备。
  该型号采用了先进的工艺技术制造,具有较低的功耗和较高的耐用性,能够满足现代电子产品对高效能存储的需求。

参数

存储容量:16GB
  接口类型:ONFI (Open NAND Flash Interface)
  工作电压:1.8V
  数据传输速率:最大 400 MB/s
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦写寿命:3000 次 (典型值)
  页大小:8KB
  块大小:1MB

特性

K9E2G08B0M-YCB0 提供高效的存储性能和可靠性,支持快速的数据访问。它采用了多层单元(MLC)技术,从而在单位面积内实现了更高的存储密度。
  此外,该芯片兼容 ONFI 标准,确保了与各种控制器的良好互操作性。其低功耗设计使其非常适合便携式设备。
  该芯片还具备纠错码(ECC)功能,可以有效提高数据的完整性。同时,内置的坏块管理机制进一步增强了产品的可靠性。
  由于其良好的耐久性和数据保持能力,K9E2G08B0M-YCB0 能够在广泛的环境条件下稳定运行,适合应用于消费类和工业类产品中。

应用

K9E2G08B0M-YCB0 主要应用于需要大容量存储的场景,包括但不限于以下领域:
  1. USB 闪存盘:为外部存储设备提供可靠的存储空间。
  2. 存储卡:用于数码相机、手机等设备中的数据存储。
  3. 固态硬盘(SSD):作为电脑或其他电子设备的主要存储介质。
  4. 嵌入式系统:在需要非易失性存储的应用中使用,例如汽车电子、工业控制设备等。
  其高性能和低功耗的特点使其成为许多便携式和移动设备的理想选择。

替代型号

K9F1G08U0A, K9F1G08R0A, K9K8G08U1M

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