型号：K7R643682M-EC16
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR SDRAM
　　容量：64Mbit (8MB)
　　组织结构：4M x 16
　　数据总线宽度：16位
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　时钟频率：最高166MHz
　　数据速率：PC133（133MT/s）
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数：54-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　访问时间：约7ns
　　输出驱动能力：TTL/CMOS兼容

K7R643682M-EC16具备多项关键技术特性，使其在同类DDR SDRAM产品中表现出色。首先，该芯片采用了同步架构设计，所有输入输出操作均与时钟信号严格同步，确保了数据传输的准确性和时序一致性。这种同步机制使得内存控制器能够精确预测读写延迟，从而优化系统性能。其次，该器件支持双倍数据速率（DDR）技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，使有效数据速率翻倍，达到133MT/s（百万次传输每秒），满足PC133标准的要求，适用于当时主流的Intel Pentium III及AMD Athlon平台。
　　该芯片还集成了多种低功耗管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）功能。在正常操作期间，DRAM需要定期刷新以维持存储的数据，而自动刷新由外部控制器触发；而在系统进入待机或休眠状态时，可启用自刷新模式，此时芯片内部逻辑自主完成刷新操作，显著降低功耗并延长电池寿命，特别适合便携式设备应用。此外，K7R643682M-EC16具有良好的信号完整性设计，输出缓冲器支持TTL和CMOS电平兼容，能够适应不同的逻辑接口需求，并减少信号反射和串扰问题。
　　另一个重要特性是其高可靠性和工业级稳定性。该芯片经过严格的测试流程，确保在各种环境条件下都能稳定运行。其工作温度范围为0°C至+70°C，适用于商业级应用场景，且具备较强的抗噪声能力和ESD（静电放电）保护性能。此外，该器件采用成熟的半导体制造工艺，具有较长的产品生命周期和稳定的供货保障，适合用于工业控制、网络通信设备和消费类电子产品中的长期项目部署。

K7R643682M-EC16主要应用于需要中等容量、高速度DDR SDRAM的各类电子系统中。典型应用领域包括台式计算机和笔记本电脑的内存模块（如早期的DDR DIMM或SO-DIMM），尤其是在支持PC133标准的主板平台上广泛使用。这类系统依赖于该芯片提供的133MT/s数据传输速率来匹配前端总线速度，从而保证CPU与内存之间的高效协作，避免成为系统性能瓶颈。
　　在网络通信设备方面，该芯片常被用于路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备中，作为数据包缓存或临时存储单元，协助处理高速网络流量。由于其具备低延迟和高并发访问能力，有助于提升网络设备的数据转发效率。在嵌入式系统领域，K7R643682M-EC16也被集成于工业控制板、医疗仪器、POS终端和多媒体播放器等设备中，为运行实时操作系统或多任务应用程序提供必要的内存资源。
　　此外，该芯片还可用于图形显示系统，例如早期的独立显卡或集成显卡解决方案中，作为帧缓冲存储器的一部分，用于存储图像像素数据。尽管其容量相对现代GPU而言较小，但在当时的技术背景下足以支持SVGA、XGA等常见分辨率下的图形渲染需求。由于其标准化接口和良好的兼容性，K7R643682M-EC16也成为许多开发板和原型验证系统的首选内存器件，方便工程师进行硬件调试与软件测试。随着技术演进，虽然该型号已逐步被更高密度、更低功耗的DDR2/DDR3/DDR4所取代，但在维修、替换老旧设备或维护 legacy 系统时仍具有一定的市场需求。

K4H563238J-TC16
　　MT46V32M16TG-75
　　IS42S32160D-7BL