时间：2025/8/30 17:58:33
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RLSD92Q081CB 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件专为高效率、高频应用设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及各类开关电源系统中。RLSD92Q081CB采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：最大15mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
RLSD92Q081CB具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该MOSFET具备优异的热稳定性，采用TO-252封装设计，有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，RLSD92Q081CB的栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，开关损耗更低，适用于高频开关电源应用。该器件还具备良好的短路耐受能力和过载保护特性，增强了系统的可靠性。最后，RLSD92Q081CB在设计上符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品设计。
RLSD92Q081CB常用于各种高性能电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电管理电路以及工业自动化控制系统中的电机驱动模块。此外，该MOSFET也可广泛应用于服务器电源、通信设备电源、LED照明驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块中。由于其优异的导通特性和快速开关能力，RLSD92Q081CB在需要高效率和高稳定性的应用中表现出色，是许多高性能电源设计的理想选择。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413, FDS9435B
