型号：K7R163684B-EC20000
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR3 SDRAM
　　组织结构：4GB (32Gb)，由2×16Gb Die组成
　　位宽：32位（x32）
　　工作电压：VDD / VDDQ = 1.2V ± 0.06V
　　IO电压：1.2V
　　最大时钟频率：2133MHz（数据速率：4266 Mbps）
　　访问时间：约0.93ns（每时钟周期）
　　封装类型：FBGA，100-ball
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　符合RoHS标准：是
　　数据传输速率：4266 Mbps（Data Rate per Pin）
　　刷新模式：自动与自刷新支持
　　突发长度：BL=16 或 BC=4/8（通过模式寄存器配置）
　　时序参数：典型CL=16 @ 2133MHz
　　

K7R163684B-EC20000具备多项先进特性，使其成为高端移动平台的理想选择。
　　首先，其基于LPDDR3标准设计，支持高达4266 Mbps的峰值数据速率（每引脚），在双倍数据速率架构下实现了极高的带宽效率。这种高速性能使得处理器能够快速读写图形、视频和应用程序数据，显著提升用户体验，尤其在多任务处理、高清游戏和4K视频播放等高负载场景中表现优异。
　　其次，该芯片采用双16Gb裸片堆叠技术，在单一封装内实现4GB容量，有效节省PCB空间，适应移动设备小型化趋势。同时，其32位宽的数据接口减少了主控芯片所需的信号线数量，简化了布线复杂度，并降低了系统整体功耗。
　　再者，K7R163684B-EC20000优化了电源管理机制，支持多种低功耗操作模式，如预充电电源关闭（Precharge Power-down）、激活电源关闭（Active Power-down）、自刷新（Self-refresh）以及深度掉电模式（Deep Power-down Mode）。这些模式可根据系统运行状态动态切换，最大限度地减少待机和轻负载下的能耗，从而延长移动设备的续航时间。
　　此外，该器件具备出色的信号完整性和抗干扰能力，支持ZQ校准功能以维持稳定的输出驱动阻抗和ODT（On-Die Termination），确保在高频工作条件下仍能保持可靠的数据传输。它还集成了温度传感器和动态VT补偿电路，可在不同环境温度下自动调整内部偏置电压和时序参数，提高稳定性与可靠性。
　　最后，K7R163684B-EC20000符合JEDEC LPDDR3标准规范，兼容主流应用处理器平台（如高通骁龙、三星Exynos、联发科天玑等），并经过严格的质量测试，具备高耐久性和长期供货保障，适合消费类及工业级移动终端使用。

K7R163684B-EC20000广泛应用于各类高性能移动和嵌入式设备中，尤其适用于对内存带宽和能效有较高要求的应用场景。
　　在智能手机领域，它是中高端机型常用的RAM组件之一，配合高性能应用处理器为操作系统流畅运行提供支撑，特别是在Android系统的多任务管理、大型应用加载、高分辨率UI渲染等方面发挥关键作用。其高数据速率可有效降低CPU等待时间，提升整体系统响应速度。
　　在平板电脑和便携式游戏设备中，该芯片支持高帧率图形处理和大容量缓存需求，确保复杂3D游戏和多媒体应用的稳定运行。例如，在运行Unity或Unreal Engine开发的游戏时，需要频繁交换纹理、模型和音频资源，K7R163684B-EC20000的大容量和高速带宽可避免内存瓶颈。
　　此外，该器件也被用于智能电视盒子、车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的图像处理模块，用于暂存摄像头采集的视频流或进行实时AI推理运算。
　　在工业控制和物联网网关设备中，虽然此类设备通常对成本更敏感，但部分高端边缘计算终端也会采用该型号以满足实时数据处理需求。其可靠的封装设计和宽温工作能力使其能在较为严苛的环境中长期运行。
　　总之，K7R163684B-EC20000凭借其高密度、高速度和低功耗特性，已成为许多先进移动计算平台不可或缺的核心存储元件。