BS2F7VZ0194A 时间：2025/8/28 7:44:01 阅读：10

BS2F7VZ0194A 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频率开关应用，具有优异的导通特性和低损耗性能。其主要设计目标是用于电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等应用领域。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-523

特性

BS2F7VZ0194A 具有以下几个显著特性：
　　首先，该器件采用了 ROHM 先进的 MOSFET 制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　其次，BS2F7VZ0194A 支持较高的栅源电压（±20V），这使得其在高电压控制应用中具有更高的可靠性和稳定性，能够承受一定的过压情况而不损坏。
　　此外，该 MOSFET 采用 SOT-523 小型封装，适合高密度 PCB 布局，适用于便携式电子设备和空间受限的设计。该封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，确保在有限空间内仍能维持稳定的运行。
　　最后，BS2F7VZ0194A 具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统的响应速度，适用于如 DC-DC 转换器、LED 驱动电路以及小型电机控制电路等应用场景。

应用

BS2F7VZ0194A 主要应用于以下领域：
　　在电源管理方面，该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率开关控制，能够有效提升电源转换效率并延长电池使用寿命。
　　在便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该 MOSFET 可用于电源切换、LED 背光控制和接口保护等场景，其小型封装和低功耗特性非常适合这些空间受限的应用。
　　此外，该器件也可用于小型电机驱动电路、传感器控制电路以及工业自动化设备中的低功耗开关控制模块，适用于需要高频开关和高稳定性的场合。