型号：K7N403601B-QC13T00
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：4 Gb（512 MB）
　　组织结构：x8位架构，每页2112字节（2048+64字节备用区）
　　工艺制程：约40nm
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V（Vcc），1.7V ~ 1.95V（Vccq）
　　接口标准：ONFI 1.0兼容
　　封装类型：TSOP-48或BGA-48（具体以批次为准）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程时间：典型值200μs/页
　　擦除时间：典型值2ms/块
　　耐久性：约10,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年（在额定条件下）

K7N403601B-QC13T00 具备多项先进的NAND闪存技术特性，使其在中高端嵌入式存储应用中表现出色。首先，该芯片采用MLC（Multi-Level Cell）存储技术，即每个存储单元可存储2比特信息，显著提升了存储密度并降低了单位成本，适用于对容量敏感且预算受限的产品设计。尽管MLC相较于SLC在耐久性和可靠性上略有下降，但通过优化的编程算法和外置ECC纠错机制（如使用支持BCH码的主控芯片），可在实际应用中有效弥补这一差距。
　　其次，该器件支持多平面（Multi-plane）操作，允许在同一时间对两个不同的存储平面执行编程或擦除操作，从而成倍提升有效写入和擦除速度。这一特性对于需要高吞吐量的应用（如视频录制、操作系统镜像加载等）至关重要。同时，它还支持缓存编程（Cache Program）功能，能够在前一页编程期间预加载下一页数据，减少等待时间，提高连续写入效率。
　　再者，K7N403601B-QC13T00 遵循ONFI 1.0标准接口协议，确保了与主流NAND控制器的良好互操作性，简化了硬件设计和固件开发流程。其异步接口设计支持命令、地址与数据的分时复用，减少了引脚数量，有利于小型化设计。此外，芯片内部集成了状态寄存器、指令寄存器和地址锁存机制，支持标准NAND操作指令集，包括读页、编程、块擦除、随机数据输入输出等功能。
　　在可靠性方面，该器件具备较强的抗干扰能力和稳定的长期数据保持能力。内置的坏块管理机制在出厂时即标记不可靠区块，用户可通过读取特定地址获取坏块信息。结合主机端的FTL（Flash Translation Layer）管理，能够实现动态磨损均衡和逻辑地址映射，延长整体使用寿命。总体而言，K7N403601B-QC13T00 在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是许多工业级和消费类电子产品的理想选择之一。

K7N403601B-QC13T00 主要应用于需要中等容量、高性能和可靠性的嵌入式非易失性存储系统。其典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助存储模块，用于存放操作系统分区、用户数据或应用程序镜像。由于其支持ONFI标准接口，也常被用于基于通用NAND控制器的固态硬盘（SSD）模组设计，特别是在低功耗、小尺寸的mSATA或定制化SSD方案中得到应用。
　　此外，该芯片广泛用于工业控制设备，如人机界面（HMI）、PLC存储扩展模块、数据采集终端等，这些设备通常要求在宽温环境下长时间稳定运行，而K7N403601B-QC13T00 的工业级温度规格（-40°C 至 +85°C）正好满足此类需求。车载信息系统、导航设备和行车记录仪也是其常见应用领域，利用其快速读取能力和良好的震动耐受性来保障数据安全。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于数字电视、机顶盒、智能摄像头以及便携式多媒体播放器中，作为系统启动存储或媒体缓存使用。由于其具备较高的编程/擦除寿命和较强的数据保持能力，即使在频繁开关机或长期断电的情况下也能确保关键数据不丢失。另外，在一些物联网（IoT）网关和边缘计算设备中，该芯片也被用作本地日志存储或配置参数保存介质。
　　得益于其成熟的工艺和广泛的市场应用基础，K7N403601B-QC13T00 还常被用于教学实验平台、开发评估板以及国产化替代项目的原型验证阶段，帮助工程师快速完成系统调试和软件适配。虽然随着新型3D NAND技术的发展，此类平面MLC NAND已逐步退出主流市场，但在库存充足、成本敏感且无需超高密度的项目中，依然具有较高的实用价值。

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