类型：NAND Flash
　　容量：16 Gb (2 GB)
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　封装类型：BGA
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-25°C ~ +85°C
　　接口类型：标准 NAND 接口
　　组织结构：每页 2048 + 64 字节（数据+备用区）
　　块大小：64 页/块
　　总线宽度：8位
　　擦除周期：约 10,000 次
　　数据保持时间：10 年（典型值）
　　读取延迟：< 25 μs
　　编程时间：~300 μs/页
　　

K7N163061A-QC13 具备多项先进特性，使其在嵌入式存储领域具有较强的竞争力。首先，该芯片采用 MLC（多级单元）技术，在相同的硅片面积上实现了比传统 SLC 更高的存储密度，从而显著降低了单位存储成本，适用于需要大容量但预算受限的应用场景。尽管 MLC 在耐久性和数据保持方面略逊于 SLC，但通过内置的错误校正码（ECC）机制和磨损均衡算法的支持，可以在系统层面有效延长使用寿命并保障数据完整性。
　　其次，该器件支持多平面操作（Multi-plane Operation），允许在同一时间对两个不同的存储平面执行读取、编程或擦除操作，大幅提升了并发处理能力，尤其有利于连续写入和随机访问性能的优化。此外，它还支持交错编程（Interleave Programming）功能，使多个块之间可以交替进行写入操作，减少等待时间，提高整体写入带宽。
　　再者，K7N163061A-QC13 集成了智能命令集，包括页读取、块擦除、随机数据输入等标准 NAND 命令，兼容 JEDEC 或行业通用规范，便于与各类主控芯片对接。其低功耗设计也是一大亮点，支持待机模式和深度掉电模式，可在设备休眠时最大限度降低静态电流消耗，延长电池续航时间，特别适合便携式电子产品使用。
　　最后，该芯片具备良好的可靠性和抗干扰能力，能够在较宽的温度范围内稳定运行，满足消费类及部分工业应用场景的需求。制造商还提供了完善的寿命监控、坏块管理和自检功能，确保长期使用的稳定性。结合高效的垃圾回收机制，可进一步提升系统的响应速度和使用寿命。

K7N163061A-QC13 主要应用于对存储容量、尺寸和功耗有较高要求的嵌入式电子设备中。最常见的用途是作为智能手机、平板电脑和其他移动终端中的原始 NAND 存储颗粒，配合主控芯片构成 eMMC 或 UFS 存储模组，用于操作系统、应用程序和用户数据的存储。由于其高集成度和 BGA 小型封装，非常适合空间受限的便携式设备 PCB 设计。
　　除此之外，该芯片也被广泛用于固态硬盘（SSD）模块中，尤其是在入门级或嵌入式 SSD 解决方案中，作为多芯片堆叠的一部分，提供经济高效的存储扩展能力。在工业控制领域，如工控机、HMI 人机界面、车载信息娱乐系统中，K7N163061A-QC13 可用于记录日志数据、配置文件或固件更新包，支持长时间稳定运行。
　　在物联网（IoT）设备中，例如智能网关、网络摄像头、POS 终端等，该芯片可用于本地缓存和事件记录，即使在网络中断时也能保证关键数据不丢失。此外，在数码相机、MP3 播放器、电子书阅读器等消费类电子产品中，也常见此类 NAND Flash 芯片用于媒体文件存储。
　　由于其标准化接口和成熟的生态系统支持，K7N163061A-QC13 还常被用于开发板、原型验证平台和嵌入式 Linux 系统中，作为根文件系统或启动设备使用。开发者可通过常见的 Flash 烧录工具对其进行编程和调试，加快产品开发周期。

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