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DMC4028SSD-13 发布时间 时间:2025/8/2 7:11:06 查看 阅读:29

DMC4028SSD-13 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效能功率管理的场合。这款芯片采用 8 引脚 SOIC 封装,具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力的特点。DMC4028SSD-13 的设计使其非常适合用于负载开关、电源管理和电机控制等应用。其高可靠性与紧凑的封装设计,使其成为许多消费类和工业类产品设计中的首选。

参数

类型:MOSFET
  通道类型:双 N 沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):5.1A
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs=10V;38mΩ @ Vgs=4.5V
  功率耗散:2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOIC-8

特性

DMC4028SSD-13 的核心优势在于其优异的导通性能和较低的导通电阻,使其在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高效的能量转换能力。其双 N 沟道结构设计使其可以同时控制两个独立的负载或用于 H 桥驱动电路中。
  该器件的封装设计采用 SOIC-8,这种封装形式不仅节省空间,还具备良好的热管理和电气性能,有助于提高系统的稳定性和可靠性。此外,DMC4028SSD-13 的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 10V 的驱动电压,使得它能够兼容多种控制器的输出能力,提升了其在不同应用场景中的灵活性。
  在保护特性方面,DMC4028SSD-13 具备较高的热稳定性和抗静电能力,确保其在恶劣工作环境下依然能够稳定运行。其设计也使其具备较好的抗浪涌电流能力,适用于负载变化较大的应用场合,如电机控制、LED 驱动和 DC-DC 转换器等。
  总的来说,DMC4028SSD-13 凭借其高效率、低功耗和优良的封装设计,成为许多现代电子设备中功率管理的理想选择。

应用

DMC4028SSD-13 主要应用于需要高效功率管理的领域,例如电源管理系统、负载开关控制、DC-DC 转换器、H 桥电机驱动电路、电池管理系统以及 LED 驱动模块。此外,该器件也非常适合用于工业自动化设备、智能家居控制模块以及消费类电子产品中的高效率功率开关应用。其紧凑的 SOIC-8 封装使其成为空间受限设计的理想选择。

替代型号

Si7153DP-T1-GE3, FDS6675, NDS355AN

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DMC4028SSD-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A,4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds604pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMC4028SSD-13DITR