容量：2GB
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　I/O总线速度：3200Mbps
　　工作电压：1.1V / 1.5V
　　封装形式：FBGA
　　温度范围：商业级（0°C 至 85°C）
　　数据宽度：16位
　　接口：JEDEC标准

K7M161825A-QC750 的主要特点包括其高带宽和低功耗设计，适合在电池供电设备中使用。该芯片支持差分时钟输入，以提高信号完整性，并且具有内部延迟锁定环（DLL），以确保精确的时序控制。此外，它还具备多种节能模式，如深度掉电模式、自刷新模式和预充电省电模式，有助于进一步延长设备的电池寿命。
　　这款内存芯片采用16位数据总线架构，可以在每个时钟周期传输两笔数据，从而实现高效的数据吞吐能力。其3200Mbps的数据速率能够满足现代高端移动设备对快速响应和流畅多任务处理的需求。同时，为了保证稳定性和兼容性，K7M161825A-QC750 支持CRC（循环冗余校验）和命令/地址奇偶校验功能，增强了数据传输的可靠性。
　　从物理设计角度来看，该器件采用紧凑型FBGA（细间距球栅阵列）封装技术，使得其非常适合空间受限的应用场景，同时提供了良好的散热性能。

K7M161825A-QC750 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及对性能和功耗有严格要求的嵌入式系统。由于其高速度和低功耗的特点，也常被用在图形密集型设备和需要实时数据处理的应用中，例如游戏设备、增强现实（AR）设备和智能摄像头等。

K3UH5H90AM-AGCL, K3UH7HNGAM-AGCL