型号：K7B403625M-QC80
　　制造商：Samsung
　　产品类型：LPDDR4X SDRAM
　　容量：4GB (32 Gb)
　　组织结构：4G x 8 / 2G x 16
　　电压：VDD/VDDQ = 1.1V / VDDQ_IO = 0.6V
　　数据速率：最高4266 Mbps（等效时钟频率2133 MHz）
　　接口类型：并行，差分时钟输入
　　封装类型：FBGA, 134-ball
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚兼容性：符合LPDDR4X JEDEC标准
　　刷新模式：自动、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）
　　封装尺寸：约9.0mm x 10.0mm x 0.7mm
　　最大功耗：典型值低于1.5W（取决于使用负载）

K7B403625M-QC80 具备多项先进特性，使其成为现代移动设备中理想的内存解决方案。首先，该芯片支持高达4266 Mbps的数据传输速率，通过双通道设计实现高带宽输出，显著提升了系统整体性能，尤其是在处理高清视频播放、大型游戏渲染和多任务操作时表现优异。其核心基于低漏电CMOS工艺制造，并结合了三星优化的内部电路架构，在保证高速运行的同时有效控制功耗。
　　其次，该器件支持多层级电源管理模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、温度补偿自刷新（TCSR）和动态电压频率切换（DVFS），可根据系统负载实时调整工作状态，最大限度地减少不必要的能耗。例如，在屏幕关闭或待机状态下，内存可进入超低功耗自刷新模式，仅消耗微安级别电流，从而显著延长移动设备的待机时间。
　　再者，K7B403625M-QC80 提供出色的信号完整性和抗干扰能力。其内部集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），减少了外部匹配元件的需求，简化了PCB布局并提高了信号稳定性。同时支持写入均衡、读取/写入训练等高级功能，确保在高频下仍能保持可靠的数据传输。
　　此外，该芯片具备良好的热稳定性和可靠性，经过严格的工业级测试，可在高温环境下持续稳定运行。其封装采用无铅、符合RoHS环保标准的材料，支持回流焊工艺，适合自动化量产流程。最后，K7B403625M-QC80 与其他LPDDR4X产品具有良好的引脚和协议兼容性，便于厂商进行平台升级和物料替换，降低了开发复杂度和成本。

K7B403625M-QC80 主要应用于对性能和功耗高度敏感的便携式电子设备中。最典型的应用领域是高端智能手机和平板电脑，这些设备需要快速响应操作系统、流畅运行多任务应用以及处理高分辨率图像和视频内容。该芯片能够为SoC（如高通骁龙8系、三星Exynos 9系、联发科天玑9000系列）提供充足的内存带宽，保障用户体验的流畅性。
　　此外，该器件也广泛用于高性能ARM架构的笔记本电脑（如Chromebook）、车载信息娱乐系统（IVI）、智能电视盒子以及AR/VR头显设备。在这些应用场景中，系统往往需要同时处理大量图形数据、音频流和传感器输入，K7B403625M-QC80 的高吞吐量和低延迟特性可以有效支撑复杂的并行计算任务。
　　在嵌入式人工智能边缘计算设备中，例如AI推理加速模块、人脸识别终端和智能摄像头，该内存芯片也能发挥重要作用。它能够快速加载神经网络模型参数并在本地完成高效运算，满足实时性要求。
　　由于其紧凑的封装尺寸和高集成度，K7B403625M-QC80 特别适合空间受限的主板设计，常见于采用PoP（Package-on-Package）堆叠封装技术的产品中，即内存芯片直接堆叠在应用处理器上方，节省PCB面积并缩短信号路径，进一步提升系统性能和能效比。

K7B343625M-QC80
　　K7B543625M-QC80
　　MT53E256M32D2NP-046 WT:A
　　EMPA44ABMNA-OD