GJM0335C1E7R3CB01J 是一种基于薄膜技术的多层陶瓷电容器 (MLCC),适用于高频电路应用。该型号属于 C0G 介质系列,具有出色的温度稳定性和低损耗特性。其设计使得它能够在广泛的温度范围内保持稳定的电容值,适合用于滤波、耦合和旁路等场景。
封装:0402
电容值:33pF
额定电压:50V
公差:±0.3pF
直流偏压特性:不显著变化
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
介质材料:C0G(NP0)
ESR:≤10mΩ
Q 值:≥5000
频率范围:DC 至 6GHz
GJM0335C1E7R3CB01J 使用 C0G 介质,这种材料具有非常高的温度稳定性,确保在 -55℃ 至 +125℃ 的温度范围内,电容值的变化小于 ±30ppm/℃。此外,由于采用了先进的薄膜工艺,这款 MLCC 具有极低的介质损耗(Df),非常适合高频应用。它的高 Q 值也使其成为射频和微波电路的理想选择。
同时,该型号具备优异的抗直流偏压性能,在施加直流电压时,电容值几乎不会发生显著变化。这一特点对于需要稳定电容值的信号路径至关重要。此外,GJM0335C1E7R3CB01J 还拥有较小的封装尺寸(0402),有助于节省 PCB 空间,适合现代小型化设计。
该电容器适用于各种高频电子设备,包括但不限于:
1. 射频前端模块中的滤波和匹配网络。
2. 高速数据通信系统中的信号调理。
3. 微波放大器的耦合和旁路。
4. 振荡器和混频器中的谐振电路。
5. 医疗成像设备中的高频信号处理。
6. 航空航天和国防领域的高性能射频电路。
7. 无线通信基础设施,如基站和中继器。
GJM0335C1E7R3CB01J 的高稳定性使其成为对精度要求较高的应用场景的理想选择。
GJM0335C1E7R3CB01A
GJM0335C1E7R3CB01B
GJM0335C1E7R3CB01K