制造商：Samsung
　　产品系列：K7A
　　器件类型：Raw NAND Flash
　　存储容量：8Gbit（1GB）
　　工艺制程：20nm 或 1ynm 级别
　　电压范围：Vcc=2.7V~3.6V（典型值3.3V）
　　接口类型：ONFI 2.1 或 Toggle Mode 1.0
　　封装形式：BGA-144（具体以 datasheet 为准）
　　工作温度：-25°C ~ +85°C
　　读取延迟：≤25μs（页读取）
　　编程时间：约200μs/页
　　擦除时间：约1.5ms/块
　　耐久性：10,000 次P/E周期
　　数据保持时间：10年（常温下）
　　ECC要求：需外部控制器支持错误校正

K7A801801801B-QC14 具备多项关键特性，使其适用于中高端嵌入式存储应用场景。首先，该芯片采用了先进的NAND闪存制造工艺，可能是基于三星成熟的20nm级或更先进的1ynm级技术，这不仅提升了单位面积内的存储密度，还显著降低了功耗，增强了能效比。在性能方面，它支持较高的读写速度，尤其在连续读取模式下可达到每秒数十兆字节的数据传输率，满足操作系统快速启动和大型文件访问的需求。此外，该器件支持多平面操作（Multi-plane Operation），允许同时对多个存储平面进行编程或擦除操作，从而大幅提高整体写入效率。
　　其次，K7A801801B-QC14 遵循标准化的接口协议，如ONFI 2.1或Toggle Mode 1.0，确保与多种主控芯片兼容，简化了系统设计和驱动开发流程。由于是原始NAND（Raw NAND），其内部无内置控制器，因此需要主机端配备具备强大ECC纠错能力的控制器来管理位翻转、坏块管理和磨损均衡等任务。这也意味着系统开发者可以更灵活地优化存储管理策略，但同时也增加了软件层面的设计复杂度。
　　再者，该器件具有良好的环境适应性和长期可靠性，支持宽温工作范围，适用于工业控制、车载电子等严苛环境下的应用。封装采用紧凑型BGA，节省PCB空间，适合高密度布局。最后，三星为其提供完整的技术支持文档和参考设计方案，有助于加快产品上市进程。尽管该型号已逐步被更高密度、更先进工艺的新品替代，但在某些存量项目和维修市场中仍具使用价值。

K7A801801B-QC14 主要应用于需要可靠、独立NAND闪存的嵌入式系统和消费类电子产品中。典型用途包括智能手机和平板电脑中的辅助存储或早期主存储单元，尤其是在2010年代中期发布的部分安卓设备中曾广泛采用此类规格的NAND颗粒。此外，它也被用于便携式多媒体播放器、数码相机和电子书阅读器等设备，承担操作系统镜像、固件存储及用户数据保存功能。在工业领域，该芯片可用于工控机、HMI人机界面、POS终端和智能仪表中，作为非易失性存储介质记录运行日志、配置参数或采集数据。
　　由于其原始NAND属性，K7A801801B-QC14 常见于搭载专用NAND控制器的定制化主板上，例如基于高通、联发科或三星自家Exynos处理器的平台。在这些系统中，主控芯片负责执行FTL（Flash Translation Layer）、坏块管理、ECC校验和垃圾回收等任务，充分发挥该NAND芯片的性能潜力。此外，在一些固态存储模组或eMMC前身方案中，也可看到类似K7A系列芯片的身影。虽然目前主流设备已转向eMMC、UFS或托管式SSD解决方案，但在特定维修替换、备件更换或老旧设备维护场景中，K7A801801B-QC14 依然具有实际应用需求。