时间：2025/5/24 13:30:29
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GA1206A3R9CBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
该芯片通过优化栅极电荷和输出电容参数，显著降低了开关损耗，从而提升了整体系统效率。此外，其坚固的设计和出色的热性能也使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
型号：GA1206A3R9CBABT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：120V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.4A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：17nC（典型值）
输入电容（Ciss）：830pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：30ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高效低导通电阻，减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用环境。
3. 出色的热稳定性和可靠性，适合在高功率密度场景中使用。
4. 紧凑的封装设计，便于电路板布局和散热管理。
5. 具备优异的短路耐受能力，增强了器件的安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持多种工业规范。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电机驱动和控制电路中的电子开关元件。
3. DC-DC 转换器及降压/升压模块。
4. LED 驱动器和照明系统中的功率管理组件。
5. 各种电池充电器和能量存储设备中的保护电路。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
IRFZ44N, AO3400A, FDP5800
