型号：K5D1H13ACM-D075
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR4X SDRAM
　　总容量：8Gb (1GB)
　　数据宽度：x16
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.1V ± 0.1V, VDDQ_IO = 0.6V
　　最大时钟频率：2133MHz (有效数据速率4266 Mbps)
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　温度范围：0°C 至 +85°C (商用级)
　　数据速率：4266 Mbps/pin
　　接口标准：LPDDR4X JESD209-4C
　　刷新周期：标准自动刷新模式支持

K5D1H13ACM-D075 具备多项先进特性，使其在现代低功耗高性能内存市场中占据重要地位。首先，该芯片基于LPDDR4X架构，采用了双通道、每通道16位的设计，允许独立访问两个通道以提高并发处理能力和带宽利用率。这种双通道架构显著提升了数据吞吐量，同时通过降低单个通道的数据负载来减少功耗和电磁干扰。其次，该器件支持最高4266 Mbps的每引脚数据传输速率（MT/s），在双倍数据速率技术的支持下，即使在高频运行状态下也能保持稳定的数据完整性。这使得它非常适合用于高分辨率视频播放、大型游戏渲染、AI推理运算等对内存带宽要求极高的应用场景。
　　另一个关键特性是其低电压操作能力。K5D1H13ACM-D075 的核心电源（VDD/VDDQ）为1.1V，而I/O电压降至0.6V，相比传统LPDDR4有明显节能效果，特别是在待机或轻负载状态下，结合自刷新（Self-Refresh）、温度补偿自刷新（TCSR）和深度掉电模式（Deep Power Down Mode），能够大幅降低静态功耗。这对于延长移动设备电池寿命至关重要。此外，该芯片集成了片上校准电路（On-Die Calibration）和动态ODT（On-Die Termination），可在不同工作条件下自动调整终端电阻值，确保信号完整性和高速传输稳定性，避免因反射或串扰引起的误码问题。
　　在可靠性方面，K5D1H13ACM-D075 支持错误检测机制，包括写入数据屏蔽（Data Masking）、命令/address parity check等功能，有助于提升系统的鲁棒性。其FBGA封装设计优化了散热路径，适合高密度PCB布局，并支持PoP堆叠工艺，便于与应用处理器集成，节省主板空间。此外，该芯片符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于全球范围内的消费电子产品制造。总体而言，这些特性使K5D1H13ACM-D075 成为兼顾速度、功耗与可靠性的理想选择。

K5D1H13ACM-D075 主要应用于对性能和能效有较高要求的移动和嵌入式系统。最常见的使用场景是智能手机和平板电脑，作为主内存配合高性能应用处理器（如高通骁龙、三星Exynos、联发科天玑系列）运行操作系统、多任务处理、高清视频解码及大型应用程序。由于其高带宽特性，特别适用于支持4K视频录制、增强现实（AR）、虚拟现实（VR）和移动端AI计算的任务。
　　此外，该芯片也广泛用于便携式游戏设备、智能手表（高端型号）、车载信息娱乐系统（IVI）、工业手持终端以及无人机等需要紧凑尺寸和高效内存管理的设备中。在物联网边缘计算节点或AIoT设备中，当系统需要快速响应和大量数据缓存时，K5D1H13ACM-D075 可提供可靠的内存支持。得益于其支持PoP封装的能力，它常与处理器垂直堆叠，用于超薄设备的设计，最大限度地节省PCB面积。同时，由于其良好的温度适应性和稳定性，也可部署于环境条件较为严苛的工业控制模块或通信模块中。总之，凡是需要在有限功耗预算下实现高性能内存访问的场合，都是该芯片的理想应用领域。

K5D1H13ACM-D077
　　K5D1H13ACF-D075
　　MT53E256M16D1NP-046 WT:E
　　W9NAFAFKBKMTYU