型号：K4X51163PG-FCG3
　　制造商：Samsung
　　产品类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：512 Mbit
　　组织结构：64M x 16 Bit
　　供电电压：1.8V ±0.1V
　　接口类型：并行
　　I/O位宽：16位
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（工业级）
　　最大时钟频率：400 MHz（等效800 Mbps数据速率）
　　CAS延迟：CL=3, CL=4, CL=5 可配置
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新 / 温度补偿自刷新（TCSR）
　　数据传输方式：源同步双沿采样（Double Data Rate）
　　地址/命令输入：LVTTL兼容

K4X51163PG-FCG3 具备多项先进特性，使其成为高性能嵌入式系统中理想的内存解决方案。
　　首先，该芯片基于DDR2架构，采用双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输，从而实现高达800 Mbps的数据吞吐率（在400MHz时钟下），显著提升了系统总线带宽。这种高带宽特性特别适用于视频处理、网络交换、图像缓存等对实时性要求较高的应用场景。其次，其内部存储阵列为64M x 16bit的组织结构，总容量为512Mbit，既满足了中高端嵌入式处理器对外部存储的需求，又避免了过大的封装体积带来的布板困难。
　　该芯片支持多种工作模式，包括正常操作模式、待机模式、自动刷新模式和自刷新模式。其中，自刷新模式允许DRAM在系统主控关闭或进入休眠状态时，利用内部计时器维持存储单元的数据完整性，极大地降低了系统待机功耗。同时，它还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据外部环境温度动态调整刷新周期——高温时增加刷新频率以防止数据丢失，低温时适当延长刷新间隔以节约能耗，进一步优化了功耗管理策略。
　　电气方面，K4X51163PG-FCG3 工作电压仅为1.8V，相较于传统的2.5V DDR SDRAM，有效降低了功耗和热损耗，符合现代绿色电子产品的设计趋势。所有输入输出引脚均兼容LVTTL电平标准，便于与各类微处理器、FPGA或ASIC直接连接而无需额外的电平转换电路。此外，芯片集成了片上终结电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用终端匹配，改善信号反射问题，增强信号完整性，尤其在高频运行或多负载总线环境中表现优异。
　　封装上，该器件采用90球FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，并支持回流焊装配流程。小尺寸封装有利于提高PCB布局密度，适应便携式和高集成度设备的设计需求。

K4X51163PG-FCG3 广泛应用于各类需要高速、低功耗内存支持的电子系统中。
　　在网络通信领域，该芯片常被用于路由器、交换机、基站控制器等设备中，作为数据包缓存或协议处理缓冲区，凭借其高带宽和低延迟特性，有效提升数据转发效率和系统响应速度。在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器，该DDR2芯片可用于存储实时采集的数据、程序代码或图形资源，保障系统长时间稳定运行。此外，在数字视频监控系统（DVR/NVR）、IP摄像头和多媒体终端设备中，K4X51163PG-FCG3 可作为视频帧缓存使用，支持高清视频流的临时存储与快速调用，满足图像编解码过程中的大容量临时存储需求。
　　在消费类电子产品方面，该芯片也常见于智能电视、机顶盒、高端打印机和网络存储设备（NAS）中，配合主处理器完成复杂的多任务处理。由于其支持温度补偿自刷新和低电压运行，特别适合部署在无风扇散热或密闭环境下的嵌入式设备中，能够在高温环境下长期可靠工作而不丢失数据。此外，在一些FPGA开发平台或专用加速卡中，该芯片常被用作协处理器的外扩内存，提供足够的数据缓冲空间，提升整体计算性能。得益于其良好的兼容性和稳定性，K4X51163PG-FCG3 成为许多工业级和商业级应用中的首选DDR2颗粒之一。

K4X51163PE-FCGC
　　MT47H64M16BF-3:B
　　IS43TR16256A-3BLI