时间：2025/5/23 20:18:26
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ISZ75DP15LM 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合应用于各种高效能、高频的电力电子转换系统中。其封装形式通常为 TO-220 或类似类型，能够有效提升散热性能，满足高功率应用需求。
该型号在电路设计中常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-220
ISZ75DP15LM 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力（15A），确保在大电流条件下稳定运行。
3. 快速开关特性，适用于高频应用场合。
4. 良好的热性能，具备较高的结温耐受能力（最高可达 175℃）。
5. 内置防静电保护功能，增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 紧凑且坚固的 TO-220 封装，便于安装并提供优秀的散热表现。
ISZ75DP15LM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Mode Power Supply, SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter），如降压、升压或升降压拓扑结构。
3. 电机驱动器，用于控制小型直流电机或步进电机。
4. 负载切换电路，在电池管理系统（BMS）或其他需要动态负载管理的应用中。
5. 其他需要高效率和低功耗的电力电子设备中。
ISZ75DP10KM, IRFZ44N, FDP15N75
