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K4T51163QN-BCE7 发布时间 时间:2025/6/21 15:10:30 查看 阅读:5

K4T51163QN-BCE7 是由三星(Samsung)生产的一款DDR4 SDRAM内存颗粒。该芯片广泛应用于计算机、服务器、嵌入式设备和其他需要高性能内存的场景中,具备高速数据传输能力和低功耗特性。
  这款芯片属于高密度存储器系列,具有较高的稳定性和可靠性,适用于需要大规模数据处理的应用环境。

参数

类型:DRAM
  接口:DDR4
  容量:8Gb (1Gx8)
  工作电压:1.2V
  速度:2666Mbps
  封装形式:BGA
  引脚数:78-ball
  工作温度范围:-40°C 到 +85°C

特性

K4T51163QN-BCE7 支持 DDR4 标准,提供更快的数据传输速率和更低的工作电压,从而有效降低能耗。
  它采用先进的制造工艺,在保证性能的同时提高了产品的可靠性和耐用性。
  其内置的刷新机制和错误检测功能能够确保数据的完整性和稳定性。
  此外,该芯片支持突发传输模式,可以显著提高系统响应速度和整体性能。
  在多任务处理或大数据量应用时,K4T51163QN-BCE7 能够提供持续稳定的性能表现。

应用

K4T51163QN-BCE7 广泛应用于台式机、笔记本电脑、工作站和服务器等设备的内存模块中。
  它还适合用于工业控制、网络通信、图像处理和人工智能等领域,特别是在需要快速访问大容量数据的场景下表现出色。
  由于其低功耗设计,也适用于移动设备和便携式电子产品中的内存解决方案。
  此外,该芯片还可用于需要长时间运行且对稳定性要求较高的嵌入式系统中。

替代型号

K4T51163QF-BCE7
  K4T51163QM-BCE7
  K4T51163QQ-BCE7

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