型号：K4T51163QI-HCF6
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3 SDRAM
　　容量：8Gb (1G x 16)
　　组织结构：8 Banks
　　数据宽度：16位
　　工作电压：1.5V / 1.35V（支持低电压运行）
　　最大时钟频率：800MHz（等效数据速率1600Mbps，即PC3-12800）
　　访问时间：约10ns（CL=11时）
　　CAS延迟可选值：CL9, CL10, CL11
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）
　　封装类型：FBGA, 96-ball
　　引脚间距：0.8mm
　　是否无铅：是
　　符合RoHS标准：是

K4T51163QI-HCF6具备多项先进特性，使其在同类DDR3产品中表现出色。
　　首先，它采用了双倍数据率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均传输数据，从而实现高达1600Mbps的数据传输速率（在800MHz时钟下），显著提升了系统整体带宽效率。其内部8组bank的设计允许交错访问不同的存储区域，有效减少等待时间并提高并发处理能力，尤其适合多任务操作系统或实时视频处理等高吞吐场景。
　　其次，该芯片集成了多种电源管理机制。例如，自动刷新和自刷新模式可在不牺牲数据完整性的前提下降低动态功耗；温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片内部温度调节刷新频率，避免高温环境下因漏电增加而导致的数据丢失风险，同时减少低温时不必要的刷新操作以节省能耗；部分阵列自刷新（PASR）则允许仅对正在使用的内存区段进行刷新，进一步优化待机状态下的功耗表现。
　　再者，K4T51163QI-HCF6支持ODT（On-Die Termination）片上终端电阻技术，可在读写过程中动态启用内部终端匹配，改善信号完整性，抑制反射噪声，特别适用于高密度布线或多负载拓扑结构的主板设计。
　　此外，该器件具有良好的兼容性和稳定性，支持标准命令接口协议，包括激活、预充电、读/写、刷新及模式寄存器设置（MRS）等操作，并可通过MRS灵活配置突发长度、突发类型、CAS延迟等关键参数，适应不同控制器的需求。
　　最后，其FBGA-96封装具有较小的物理尺寸和优良的热传导性能，便于在紧凑型设备中实现高密度集成，同时通过均匀分布的接地与电源球增强电磁屏蔽效果，提升抗干扰能力。这些综合特性使得K4T51163QI-HCF6成为追求高性能与低功耗平衡的理想选择。

K4T51163QI-HCF6广泛应用于对内存带宽和能效有较高要求的中高端电子产品中。
　　在消费电子领域，常被用作智能电视、4K超高清机顶盒、多媒体播放器和游戏主机的主内存组件，支持流畅的视频解码、图形渲染和多应用并行运行。由于其高数据速率和低延迟特性，能够满足H.265/HEVC等高压缩比视频格式的实时播放需求。
　　在网络通信设备方面，该芯片常见于路由器、交换机、家庭网关和企业级接入点等产品中，作为处理器的配套RAM，支撑高速数据包处理、路由表查找和缓冲队列管理等功能，保障网络传输的稳定性和响应速度。
　　在嵌入式系统和工业自动化领域，K4T51163QI-HCF6可用于工控机、POS终端、医疗监测设备和车载信息娱乐系统，提供可靠的运行内存支持，尤其适用于需要长时间连续工作的严苛环境。
　　此外，一些基于ARM架构或x86嵌入式处理器的开发板也会选用此类DDR3颗粒作为系统内存，便于开发者构建原型系统或部署边缘计算应用。
　　得益于其稳定的电气性能和宽温工作能力，该芯片也能适应一定程度的工业级应用需求，尽管其标称为商业级温度范围，但在良好散热设计下仍可在轻度扩展温度环境中稳定运行。总体而言，K4T51163QI-HCF6是一款兼顾性能、功耗与可靠性的通用型DDR3存储解决方案，适用于多样化电子系统的内存升级与设计需求。

K4B1G1646F-HC05
　　MT41K128M16JT-15E
　　EM63A165TS-6H