类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：8组 x 8M x 16位
　　工作电压：VDD / VDDQ = 1.8V / 1.2V
　　I/O电压：1.2V
　　数据速率：最高支持 1600Mbps（800MHz DDR）
　　封装形式：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：90-ball
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）
　　时钟频率：最大 800MHz
　　突发长度：BL=8, BC=4/BC=8 可编程
　　内部银行数量：8 banks
　　预取架构：8n-prefetch
　　最小读写周期时间：7.5ns（tRC）
　　典型值待机电流：低功耗设计，适用于移动设备

K4T51163QGHCE6 采用先进的8n-prefetch架构，能够在每个时钟周期内传输8倍于内部核心频率的数据量，从而实现高达1600Mbps的数据传输速率。这种架构结合双倍数据率技术，显著提升了数据吞吐能力，同时保持相对较低的核心频率，有助于降低功耗和电磁干扰。该芯片支持两种电源电压：核心逻辑运行在1.8V，而I/O接口则使用更低的1.2V电压，这种双电压设计有效减少了信号切换过程中的功耗，特别适合电池供电设备。
　　该器件具备多种低功耗管理模式，包括自动刷新、自刷新、深度掉电模式等，可根据系统负载动态调整工作状态。在自刷新模式下，内存控制器可暂停操作，由芯片内部电路维持数据完整性，大幅降低待机功耗。此外，K4T51163QGHCE6 支持部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR），允许用户选择性地关闭未使用的存储区域，进一步优化能耗。这些功能使其成为注重续航能力的移动设备的理想选择。
　　为了提高系统稳定性与可靠性，该芯片集成了温度传感器和动态电压调整支持，能够根据实际工作温度调节刷新率，防止高温导致数据丢失。它还支持ZQ校准功能，用于补偿由于温度和电压变化引起的I/O驱动阻抗漂移，确保信号完整性和高速通信的稳定性。封装方面，采用90球FBGA小型化封装，占用PCB面积小，便于高密度布局，并支持细间距焊接工艺，适用于紧凑型移动终端设计。

K4T51163QGHCE6 主要应用于各类高性能移动计算设备中，尤其适用于对内存带宽和功耗有较高要求的场景。其典型应用包括中高端智能手机和平板电脑，在这些设备中作为主系统内存（RAM）使用，支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行以及快速应用程序切换。此外，该芯片也广泛用于超极本（Ultrabook）、二合一设备（2-in-1 devices）和嵌入式工业控制系统中，提供可靠的内存支持。
　　在消费类电子产品领域，如智能电视盒、车载信息娱乐系统（IVI）、AR/VR头显设备中，K4T51163QGHCE6 能够满足图形渲染、实时图像处理和操作系统流畅运行所需的高速缓存需求。由于其具备良好的温度适应性和长期运行稳定性，也可用于工业级应用场景，例如工业自动化控制器、医疗便携设备和物联网网关等需要长时间连续工作的系统中。
　　得益于其标准化的LPDDR3接口协议，该芯片可以与多种主流应用处理器（AP）和片上系统（SoC）无缝对接，如高通骁龙系列、三星Exynos系列、联发科Helio系列等平台，具有良好的生态系统兼容性。因此，K4T51163QGHCE6 不仅是一款性能出色的内存组件，也是构建现代化移动计算平台的重要基石之一。

K4T51163QCJCAE6
　　K4T51163QGMCBE6
　　MT41K512M16TW-107:P
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