K4T51163QG-HCE7 是由三星(Samsung)生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片,主要应用于台式机、笔记本电脑、服务器和其他需要高性能内存支持的电子设备中。该型号采用了先进的制程工艺,在性能和功耗之间实现了良好的平衡,适合高频率运行环境。
DDR4 相较于前代 DDR3 具有更高的数据传输速率、更低的工作电压以及更大的存储密度。K4T51163QG-HCE7 支持 ECC 错误校验功能,适用于对数据可靠性要求较高的场景。
容量:8Gb (1GB)
类型:DDR4 DRAM
组织结构:512M x 16
工作电压:1.2V
接口:BGA 封装
I/O 电压:1.2V
速度:3200Mbps
温度范围:-40°C 到 +85°C
封装:BGA 92 球
K4T51163QG-HCE7 属于高性能 DDR4 内存芯片系列,具有以下显著特点:
1. 高速数据传输:支持高达 3200Mbps 的数据传输速率,能够满足现代计算任务的需求。
2. 节能设计:采用 1.2V 工作电压,相比 DDR3 的 1.5V 更加节能。
3. 可靠性强:支持 ECC 功能,能够在检测到单比特错误时进行自动纠正,提高数据完整性。
4. 先进工艺:使用了三星领先的半导体制造技术,具备高密度和低功耗特性。
5. 广泛兼容:适配多种主流平台,支持 JEDEC 标准。
该芯片广泛应用于需要高性能内存的领域,包括但不限于:
1. 台式电脑及笔记本电脑内存模块
2. 数据中心与企业级服务器
3. 工业控制设备
4. 医疗成像设备
5. 嵌入式系统中的大容量存储需求
K4T51163QG-HCE7 的高速率和高可靠性使其成为上述应用的理想选择。
K4T51163QF-HCE7
K4T51163QH-HCE7
K4T51163QG-HCE8