型号：K4T51163QE-HCE6
　　制造商：Samsung
　　产品类型：DDR3L SDRAM
　　容量：8Gbit (512M x 16)
　　电压：1.35V ± 0.1V
　　最大频率：800MHz (DDR3-1600)
　　数据速率：1600 Mbps
　　封装类型：96-ball FBGA
　　引脚数：96
　　工作温度：0°C 至 85°C
　　存储架构：4 Banks, 512Mb per bank
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
　　时钟频率：400MHz (有效时钟为双倍数据率)
　　访问时间：约7.5ns (CL=11时)
　　突发长度：BL8, BC4/BC8可选
　　CAS延迟：CL9, CL10, CL11 可配置
　　接口类型：Synchronous, Single-ended
　　是否原厂托盘包装：Yes

K4T51163QE-HCE6具备多项先进技术特性，使其在同类DDR3L内存芯片中表现出色。首先，该芯片采用低电压设计，标称供电电压为1.35V，相比传统的1.5V DDR3内存可降低约15%的功耗，显著提升了系统能效，特别适合电池供电设备如超轻薄笔记本和平板电脑使用。这一特性不仅有助于延长续航时间，还减少了散热需求，有利于实现更紧凑的散热设计。
　　其次，该器件支持高达1600Mbps的数据传输速率（即DDR3-1600规格），配合800MHz时钟频率，在CL=11的典型延迟下仍能提供高效的内存带宽，满足多任务处理、高清视频播放和图形密集型应用的需求。其内部四Bank架构允许交错访问不同存储阵列，提高并发效率，减少等待时间，从而优化整体性能表现。
　　再者，K4T51163QE-HCE6集成了ZQ校准功能，可通过外部参考电阻（通常为240Ω）动态调整输出驱动强度和片上终端（ODT）阻值，有效应对PCB走线阻抗变化及温漂影响，保障高速信号完整性。此功能在高频运行或复杂布线环境中尤为重要，可大幅降低误码率并增强系统稳定性。
　　此外，该芯片支持多种电源管理机制，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，在空闲状态下可主动进入低功耗状态，进一步节约能源。其FBGA封装具有优良的热传导性和电气性能，便于贴装于高密度PCB上，并支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产。最后，该器件遵循JEDEC标准协议，具备良好的兼容性，可无缝替换同规格DDR3L颗粒，简化系统升级与维护流程。

K4T51163QE-HCE6主要面向对功耗敏感且需要较高内存带宽的应用领域。最常见的应用场景是移动计算设备，例如超极本（Ultrabook）、轻薄型笔记本电脑和平板电脑，这些设备依赖低电压内存来延长电池寿命并控制发热。由于其1.35V的工作电压和高效的电源管理模式，该芯片非常适合集成到基于Intel低压处理器平台（如Core i系列U/P后缀型号）的主板设计中。
　　在网络通信设备方面，该芯片也被广泛用于路由器、交换机、网络附加存储（NAS）等嵌入式系统中，作为主内存或缓存单元，支撑操作系统运行和数据包处理任务。其高可靠性和宽温工作能力使其能在工业级环境中长期稳定运行。
　　此外，工业自动化控制系统、医疗电子设备、POS终端以及车载信息娱乐系统也常采用此类DDR3L颗粒。特别是在需要长时间连续运行、抗震抗干扰能力强的工控场景中，K4T51163QE-HCE6凭借其稳定的性能和成熟的供应链体系成为主流选择之一。
　　随着DDR4和LPDDR4逐渐普及，虽然DDR3L市场逐步萎缩，但由于其成本优势和技术成熟度，K4T51163QE-HCE6仍在许多中低端或存量项目中持续服役，尤其在不需要极致性能但强调性价比和供货周期稳定的场合中依然具有竞争力。

K4B2G1646E-HCJ8
　　MT41K128M16JT-15E:
　　EM63A165TS-6HIM