型号：K4T51043QC-ZCCC
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：4Gb (512MB)
　　组织结构：64M x 8
　　电压：1.5V ± 0.075V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：800MHz (DDR3-1600)
　　数据速率：1600 Mbps
　　刷新模式：自动刷新，自刷新
　　访问时间：约10ns CL=11
　　JEDEC 标准：符合 DDR3 规范

K4T51043QC-ZCCC 具备多项关键技术特性，使其在DDR3内存产品中表现出色。首先，该芯片采用了先进的CMOS制造工艺，结合高速差分时钟架构，实现了低功耗与高性能的平衡。其核心供电电压为1.5V，相较于早期DDR2的1.8V进一步降低了功耗，有利于提升系统的整体能效表现。芯片支持双倍数据速率（DDR）技术，在每个时钟周期内可在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据，从而将有效数据传输率翻倍，达到最高1600Mbps的数据速率（即DDR3-1600规格）。这一特性使得它能够满足高带宽应用的需求，例如图形处理、视频编码解码以及大数据量缓存等任务。
　　其次，该器件具备多种省电模式，包括待机模式、预充电电源-down模式、活动电源-down模式以及自刷新模式。在自刷新模式下，内存控制器可暂停工作，而DRAM内部仍能维持数据完整性，这对于移动设备或间歇性工作的工业控制系统尤为重要。此外，温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据环境温度动态调整刷新周期，避免因过度刷新造成的额外功耗，同时防止刷新不足导致的数据丢失，提升了系统在宽温环境下的可靠性。
　　再者，K4T51043QC-ZCCC 支持突发长度可编程（Burst Length Programmable），用户可根据实际应用选择BL=4或BL=8等不同模式，灵活适配不同的数据访问模式。它还支持顺序和交错两种突发模式，增强了数据读写灵活性。该芯片具备完整的错误检测机制，支持地址/命令奇偶校验选项（部分版本），有助于提高系统稳定性。其96球FBGA封装设计紧凑，便于高密度PCB布局，并具备良好的散热性能和电气特性匹配能力，适合用于多层主板设计。所有这些特性共同保证了K4T51043QC-ZCCC 在复杂电磁环境下依然能够稳定运行，适用于对长期稳定性要求较高的工业级应用场景。

K4T51043QC-ZCCC 主要应用于需要中等至高性能内存支持的各种电子系统中。常见用途包括台式机和笔记本电脑的内存条（UDIMM/SODIMM）设计，尤其是在一些基于Intel第二代至第四代酷睿处理器平台的产品中被广泛采用。此外，该芯片也常用于服务器内存模块，作为基础存储单元构建更大容量的ECC内存或非ECC内存条。在网络通信领域，如路由器、交换机和基站设备中，K4T51043QC-ZCCC 被用作数据包缓冲区或协议处理缓存，以应对高速数据流的临时存储需求。其稳定的时序控制和高可靠性使其非常适合这类对延迟敏感且不能容忍数据错误的关键系统。
　　在工业自动化和嵌入式系统方面，该芯片被集成于工控机、PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端以及机器视觉系统中，用于运行实时操作系统或存储图像帧数据。医疗设备如超声成像仪、监护仪等也采用此类内存来保障数据采集与处理的连续性。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、游戏主机外围设备中同样可见其身影，用于提升多媒体处理能力和系统响应速度。此外，由于其符合RoHS环保标准，适用于出口型电子产品设计。虽然目前主流市场已逐步转向DDR4/DDR5，但K4T51043QC-ZCCC 因其良好的兼容性、成熟的供应链体系以及较低的成本，在现有产品的维护、替代和小批量定制化项目中仍然具有重要地位。

K4B511646D-ZCCC
　　MICRON MT4JVF128AGP-16AIT