型号：K4T1G164QJ-BIE6
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR3 SDRAM
　　总容量：1Gb (128MB)
　　组织结构：8 Banks × 16M Words × 16 Bits
　　工作电压 (VDD/VDDQ)：1.8V ±0.15V
　　I/O电压 (VDDQ)：1.8V ±0.15V
　　最大时钟频率：800MHz
　　数据速率：1600Mbps（双倍数据率）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　温度范围：商业级（0°C 至 95°C，Tc）
　　刷新周期：自动/自刷新模式
　　突发长度：支持BL8, BC4-BC8模式
　　访问时间：约7.5ns（在最高频率下）
　　带宽：约3.2GB/s（每片）

K4T1G164QJ-BIE6作为一款低功耗DDR3 SDRAM芯片，具备多项先进技术特性，使其在移动计算和便携式设备领域具有显著优势。首先，其低电压设计是实现节能的关键因素之一。核心和I/O均采用1.8V供电，相较于传统DDR3的2.5V或3.3V，大幅降低了动态功耗和静态漏电流，特别适用于电池供电环境下的长期运行需求。同时，该芯片支持多种电源管理模式，包括预充电电源关闭（Precharge Power-down）、激活电源关闭（Active Power-down）以及自刷新模式（Self-refresh Mode），可在不同负载状态下智能调节功耗水平，从而延长设备使用时间。
　　其次，K4T1G164QJ-BIE6采用了8bank的内存架构设计，每个bank独立控制，支持交错式访问机制，有效提高了并发处理能力和数据吞吐效率。这种多bank结构允许在一个bank进行刷新或预充电操作的同时，其他bank仍可执行读写任务，减少了等待时间，提升了整体系统响应速度。此外，该芯片支持双倍数据速率（DDR）技术，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，实现了高达1600Mbps的数据传输速率，配合800MHz的工作频率，能够提供约3.2GB/s的峰值带宽，满足高清视频播放、多任务处理及图形渲染等高带宽应用的需求。
　　再者，该器件遵循JEDEC JESD209-3标准，确保了与主流应用处理器、基带芯片及其他控制器之间的良好互操作性和兼容性。其支持的突发长度模式包括固定BL8（Burst Length 8）和灵活的BC4/BC8（Burst Chop）模式，适应不同的数据访问模式，优化系统性能。内部集成了温度传感器和动态刷新控制逻辑，可根据实际结温调整刷新周期，避免因过热导致的数据丢失，增强系统的可靠性。封装方面采用96球FBGA，尺寸紧凑，适合高密度PCB布线，并具备良好的散热性能。综上所述，K4T1G164QJ-BIE6凭借其低功耗、高性能、高可靠性的综合表现，成为移动终端内存解决方案中的优选器件。

K4T1G164QJ-BIE6主要应用于各类对功耗敏感且需要较高内存带宽的便携式电子设备中。最常见的应用场景包括智能手机和平板电脑，其中作为主内存（RAM）与应用处理器协同工作，支持操作系统运行、应用程序加载、多媒体处理等功能。得益于其低电压特性和多种省电模式，该芯片有助于提升移动设备的电池续航能力，尤其适合长时间待机或频繁唤醒的使用场景。
　　此外，该芯片也广泛用于超薄笔记本电脑（Ultrabook）、二合一设备（2-in-1 Devices）以及嵌入式工业控制系统中，为这些设备提供稳定高效的内存支持。在消费类电子产品如智能电视盒、OTT机顶盒、车载信息娱乐系统（IVI）中，K4T1G164QJ-BIE6可用于缓存音视频数据、运行用户界面及后台服务程序，保障流畅的操作体验。由于其符合工业温度范围要求（基于TC温度），也可部署于部分工业级或扩展温度范围的环境中，如监控设备、便携医疗仪器、手持终端等。
　　在物联网（IoT）网关、Wi-Fi路由器、智能家居中枢等网络设备中，该内存芯片可用于运行嵌入式Linux系统或实时操作系统（RTOS），支撑多连接管理与数据转发任务。其高带宽特性使得在处理大量并发数据包时依然保持较低延迟。总体而言，K4T1G164QJ-BIE6适用于所有需要在有限空间和功耗预算内实现高性能内存访问的现代化电子系统，是当前移动和嵌入式平台中广泛应用的标准内存组件之一。

K4T1G164QE-BQEL
　　K4T1G164QF-BQEL
　　MT41K128M16JT-15E:4
　　EM6GD164TS-6HPO