时间：2025/4/30 17:22:43
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K4T1G164QG-BCE6 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片。该型号主要应用于计算机、服务器和嵌入式系统等需要高性能内存的设备中，支持高速数据传输和低功耗运行。
DDR4 相较于前代 DDR3 提供了更高的频率范围、更低的工作电压以及更优的能效表现，因此在现代计算平台中得到广泛应用。
类型：DRAM
容量：8Gb (1GB)
位宽：x8
I/O 电压：1.2V
核心电压：1.2V
封装形式：BGA 78-ball
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据速率：2400Mbps~3200Mbps
引脚间距：1.00mm
K4T1G164QG-BCE6 属于 DDR4 SDRAM 系列，具有以下显著特性：
1. 高速数据传输能力：支持高达 3200 Mbps 的数据速率，适用于高性能计算需求。
2. 低功耗设计：采用 1.2V 工作电压，相比 DDR3 的 1.35V 或 1.5V 更节能。
3. 可靠性高：具备 ECC（错误检查与纠正）功能选项，确保数据完整性。
4. 小型化封装：使用 BGA 78 球封装技术，适合紧凑型设计。
5. 广泛的工作温度范围：从 -40°C 到 +85°C，适应多种环境条件。
K4T1G164QG-BCE6 主要用于以下领域：
1. 计算机内存条：广泛应用于台式机、笔记本电脑和工作站的内存模块中。
2. 服务器和数据中心：为服务器提供稳定高效的内存支持，满足大数据处理需求。
3. 嵌入式系统：用于工业控制、网络设备和其他需要高性能内存的嵌入式解决方案。
4. 游戏和图形处理：支持游戏主机和图形密集型应用的快速数据交换。
K4T1G164QF-BCE7
K4T1G164QB-BCE7
K4T1G164QC-BCE7
