类型：Mobile DDR3 SDRAM
　　容量：1Gb (128MB)
　　组织结构：8M x 16bit x 8 banks
　　工作电压：1.7V ~ 1.95V (核心电压 VDD/VDDQ)
　　I/O电压：1.7V ~ 1.95V
　　数据速率：最高800 Mbps（DDR3-1600等效）
　　时钟频率：400 MHz
　　封装类型：FBGA，66球脚
　　封装尺寸：约 9.0mm x 9.0mm x 0.9mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　突发长度：支持BL8, BC4
　　突发类型：顺序/交错可选
　　输出驱动阻抗：支持RTT（On-Die Termination）
　　接口类型：差分时钟输入（CK_t/CK_c）
　　访问时间：典型值约15ns（CL=6）

K4T1G164QF-HCF8具备多项先进特性以满足移动计算和通信设备对高性能与低功耗的双重需求。首先，该芯片采用了双倍数据率（DDR）架构，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，显著提升了数据吞吐能力。其最大数据速率达800Mbps，等效于DDR3-1600标准，能够为处理器提供充足的内存带宽，保障图形渲染、视频解码和多任务处理的流畅性。
　　其次，该器件针对移动应用场景优化了电源管理机制。支持多种低功耗模式，包括自动刷新、自刷新和温度补偿自刷新（TCSR）。在自刷新模式下，芯片可在系统休眠期间维持数据不丢失的同时大幅降低功耗；而TCSR功能可根据环境温度自动调节刷新周期，在高温环境下适当缩短刷新间隔以保证数据可靠性，在低温下延长刷新周期从而节省能耗。此外，还支持部分阵列自刷新（PASR），允许用户选择仅刷新正在使用的存储区域，进一步减少不必要的电流消耗。
　　再者，K4T1G164QF-HCF8集成了片上终端电阻（ODT），可在读写操作过程中动态启用或禁用，有效抑制信号反射，提高高速信号传输的稳定性，尤其适用于高密度PCB布线环境。这一设计不仅增强了信号完整性，也减少了对外部匹配电阻的需求，有助于缩小整体电路板面积并降低成本。
　　该芯片还具备良好的兼容性和灵活性，支持标准DDR3命令集，并可通过模式寄存器配置突发长度、突发类型、CAS延迟（CL）等关键参数，适应不同主控平台的需求。其FBGA封装具有优异的热性能和机械稳定性，适合回流焊工艺，便于自动化生产。综合来看，K4T1G164QF-HCF8在性能、功耗、集成度和可靠性方面均表现出色，是中高端移动设备理想的内存解决方案之一。

K4T1G164QF-HCF8主要面向对体积、功耗和性能有较高要求的便携式电子设备。典型应用包括智能手机和平板电脑，作为主内存或图形内存使用，支持操作系统运行、应用程序加载、图像缓存及高清视频播放等功能。在这些设备中，其高带宽和低延迟特性能够显著提升用户体验，确保界面切换流畅、游戏响应迅速。
　　此外，该芯片也广泛用于便携式多媒体播放器（PMP）、数码相机、电子书阅读器等消费类电子产品，为图像处理、音频解码和多任务调度提供必要的内存资源。由于其支持多种节能模式，特别适合依赖电池供电的设备，有助于延长待机时间和使用时长。
　　在工业控制和嵌入式系统领域，K4T1G164QF-HCF8可用于人机界面（HMI）、车载信息娱乐系统（IVI）、智能POS机和网络通信模块等设备中。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其能在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级应用的可靠性要求。
　　同时，该芯片也可作为某些中低端GPU或显示控制器的显存使用，特别是在需要中等分辨率显示输出且注重成本控制的设计中表现优异。凭借其紧凑的FBGA封装，易于集成到空间受限的主板布局中，适用于超薄设备或模块化设计的产品。总之，K4T1G164QF-HCF8凭借其出色的性能与能效比，成为多种移动和嵌入式平台的重要组成部分。

K4T1G164QE-HCFA
　　K4T1G164QC-HCGC
　　MT41K128M16JT-125
　　EM68A160TS-25