时间：2025/12/27 8:01:12
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UTT75N03L-TN3-R是一款由United Silicon Technology（简称UTT）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及负载开关等场景中。UTT75N03L-TN3-R封装形式为TO-252（D-Pak），适合表面贴装，具备良好的散热性能和可靠性。其设计目标是在低电压应用中提供高效的功率开关能力，尤其适用于需要低栅极电荷与低导通损耗的应用场合。
该MOSFET的漏源击穿电压V(BR)DSS为30V，连续漏极电流可达75A，脉冲电流能力更强，适用于大电流瞬态负载条件。产品符合RoHS环保要求，并通过了多项工业级可靠性测试，能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作。UTT作为国内领先的半导体厂商，致力于提供高性能、高性价比的功率器件解决方案，UTT75N03L-TN3-R正是其在中低压功率MOSFET领域中的代表性产品之一。
型号：UTT75N03L-TN3-R
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252 (D-Pak)
极性：N-Channel
漏源电压V(BR)DSS：30V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID@25°C：75A
连续漏极电流ID@100°C：40A
脉冲漏极电流IDM：280A
导通电阻RDS(on)@VGS=10V：≤3.2mΩ
导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：≤4.0mΩ
栅极电荷Qg（典型值）：65nC
输入电容Ciss（典型值）：2800pF
开启延迟时间td(on)：15ns
关断延迟时间td(off)：35ns
反向恢复时间trr：25ns
工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
UTT75N03L-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。其在VGS=10V时RDS(on)不超过3.2mΩ，在VGS=4.5V条件下也控制在4.0mΩ以内，这使得它即使在低驱动电压下也能保持优异的导通性能，非常适合用于同步整流、电池供电设备及低压大电流电源系统中。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg典型值为65nC），有助于减少驱动电路的能量消耗，提升整体开关效率，降低电磁干扰（EMI）。
该MOSFET具备出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高温环境下长期可靠运行。其TO-252封装提供了良好的散热通道，配合PCB上的铜箔散热设计，可有效将芯片热量传导至外部环境，避免因过热导致性能下降或损坏。同时，该器件具有较低的输入电容（Ciss典型值2800pF）和输出电容（Coss典型值约950pF），有利于实现高频开关操作，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost和半桥电路。
UTT75N03L-TN3-R还具备较强的抗浪涌电流能力，脉冲漏极电流可达280A，能够承受短时过载工况，适用于电机启动、电容充电等瞬态大电流应用场景。其阈值电压范围为1.0V~2.5V，确保了在不同驱动信号下的稳定开启与关闭行为。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=25ns），可减少反向恢复损耗，提高系统能效，尤其在同步整流应用中表现突出。综合来看，该器件在导通损耗、开关速度、热性能和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。
UTT75N03L-TN3-R广泛应用于各类中低电压、大电流的电力电子系统中。常见使用场景包括但不限于：便携式电子设备的电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中的负载开关与电池保护电路；通信设备中的板级DC-DC转换模块，用于实现高效的电压调节；工业控制系统的电机驱动单元，特别是在直流无刷电机和步进电机的H桥驱动中作为主开关元件；服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）中用于大电流同步整流设计。
此外，该器件也适用于电动工具、无人机、电动车控制器等需要高功率密度和快速响应能力的消费类与工业类产品。在电池管理系统（BMS）中，UTT75N03L-TN3-R可用于充放电回路的通断控制，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，显著降低系统内阻，提升能量利用率。在LED照明驱动电源中，也可作为主开关管或同步整流管使用，帮助提高电源效率并减小散热需求。由于其表面贴装封装形式（TO-252），特别适合自动化SMT生产线，提升了生产效率和产品一致性。总体而言，该MOSFET适用于所有追求高效率、小体积和高可靠性的功率开关应用场合。
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"AON7520",
"IRL7530",
"SI4400DY",
"FDS6680A",
"IPD95N03L"
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