型号：K4T1G084QQ-HYE6
　　制造商：Samsung
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：1Gb (128MB)
　　组织结构：8M x 16
　　封装：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　输入电压（Vih/Vil）：0.7 x VDDQ / 0.3 x VDDQ
　　最大时钟频率：800MHz
　　数据速率：1600Mbps（双倍数据速率）
　　访问时间：1.25ns 最小周期时间
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +100°C
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新
　　掉电模式：支持深度掉电模式
　　兼容性：符合JEDEC JESD209-3 标准

K4T1G084QQ-HYE6 作为一款低功耗DDR3 SDRAM芯片，在架构设计和电气性能方面进行了多项优化，以满足移动和嵌入式应用对高性能与低功耗的严苛要求。首先，该芯片采用1.35V的核心供电电压，相较于标准DDR3的1.5V显著降低了功耗，尤其在高频操作下仍能保持良好的能效比。其内部组织为8M x 16位结构，总容量为1Gb，支持突发长度可编程（BL=4/8）、突发类型为顺序或交错两种模式，用户可根据系统需求灵活配置，提升数据吞吐效率。
　　其次，该器件支持多种省电模式，包括自动预充电进入自刷新、温度补偿自刷新（TCSR），能够根据环境温度动态调整刷新周期，在高温下增加刷新频率以保证数据完整性，低温下减少刷新次数以节约能耗。此外，它还具备深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下核心电路几乎完全关闭，仅保留必要的状态信息，极大降低了静态电流消耗，适合长时间待机的应用场景。
　　在信号完整性与稳定性方面，K4T1G084QQ-HYE6 采用了差分时钟输入（CK_t/CK_c）、命令/地址输入通过源同步接口与时钟对齐，确保高速下的可靠采样。数据I/O使用DQS_t/DQS_c选通信号实现双向源同步传输，支持读写操作中的精确数据捕获。所有输入输出均采用SSTL_135_I标准，具有良好的噪声抑制能力和抗干扰性能。
　　该芯片还集成了模式寄存器（Mode Register），允许用户配置突发长度、突发类型、CAS延迟（CL=6或7）、写入恢复时间等关键参数，从而适应不同的控制器和系统时序要求。内置的片上终结电阻（ODT）功能可在读写过程中自动启用，减少信号反射，提高总线稳定性，特别是在多负载或长走线设计中表现优异。整体来看，K4T1G084QQ-HYE6 在性能、功耗、可靠性之间实现了良好平衡，是移动计算平台中理想的内存解决方案。

K4T1G084QQ-HYE6 主要应用于对空间、功耗和性能有综合要求的便携式电子设备。典型应用包括智能手机和平板电脑，作为主内存支持操作系统运行、应用程序加载和多媒体处理任务。由于其低电压特性和高效的电源管理模式，特别适合电池供电设备，有助于延长续航时间。
　　在嵌入式系统领域，该芯片可用于工业控制面板、医疗手持设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及智能POS终端等产品中，提供稳定的内存支持。在这些应用场景中，设备往往需要在较宽的温度范围内可靠运行，而该芯片支持-40°C至+85°C的工作温度，具备较强的环境适应能力。
　　此外，该器件也适用于物联网网关、便携式导航仪、无人机飞控模块以及小型化AI推理边缘设备。在这些系统中，处理器通常需要快速访问大量临时数据，K4T1G084QQ-HYE6 能够提供足够的带宽和较低的访问延迟，保障系统的实时响应能力。结合其96球FBGA的小型化封装，便于在高密度PCB布局中使用，节省宝贵的板级空间。
　　在设计层面，工程师可以将其与支持LPDDR3接口的应用处理器（如三星Exynos系列、高通骁龙部分型号或全志、瑞芯微等国产芯片）配合使用，构建完整的SoC+RAM架构。PCB布线时需注意阻抗控制、等长匹配（特别是DQS组）、电源去耦和地平面完整性，以确保信号质量与系统稳定性。总体而言，该芯片是一款适用于中高端移动与嵌入式系统的成熟、可靠的内存选择。

K4B1G1646F-HCH9
　　K4B1G1646J-HYU8
　　MT41K128M16JT-125
　　EM6GD16EWBW-12H