型号：K4S641632FTC75
　　制造商：Samsung
　　类型：SDRAM
　　容量：64 Mbit (4M × 16-bit)
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　封装形式：54-pin TSOP-II
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　时钟频率：最高133MHz
　　数据速率：PC133标准兼容
　　存取时间：约7.5ns
　　引脚间距：0.8mm
　　存储阵列结构：4 Banks × 4,194,304 字元 × 16 位
　　刷新周期：64ms / 8192 行 = 7.8μs
　　工作模式：同步突发式读写、页模式、CAS延迟可配置（2或3）

K4S641632FTC75具备多项关键技术特性，使其在中高端嵌入式系统和通信设备中表现出色。
　　首先，该芯片采用四体（4-Bank）架构设计，允许在一个Bank进行预充电的同时，其他Bank执行读写或刷新操作，显著提升了内存的并发处理能力和数据带宽利用率。这种交错式Bank控制机制特别适用于需要持续高吞吐量的应用场景，如图像处理、网络数据包缓冲和实时视频流传输。
　　其次，K4S641632FTC75完全兼容PC133 SDRAM标准，支持133MHz系统时钟下的稳定运行，能够满足当时主流处理器对内存速度的要求。其支持的CAS（列地址选通）延迟可配置为2或3个时钟周期，用户可根据系统稳定性需求灵活调整，以平衡性能与信号完整性。
　　此外，该芯片集成了多种低功耗管理功能，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）模式。在自动刷新模式下，外部控制器定期发送刷新命令以维持数据；而在自刷新模式下，芯片内部自行生成刷新时序，在系统进入待机或休眠状态时大幅降低功耗，延长便携式设备的电池寿命。
　　该器件还支持突发长度可编程功能（支持1、2、4、8以及整页突发），允许根据实际应用优化数据传输效率。结合同步接口特性，所有输入输出操作均与时钟上升沿对齐，避免了传统异步DRAM中的等待状态问题，提高了系统的确定性和响应速度。
　　最后，TSOP-II封装不仅提供了良好的电气性能和散热能力，而且便于自动化贴片生产，提升了制造良率和可靠性。整体而言，K4S641632FTC75是一款成熟可靠的通用型SDRAM解决方案，适用于多类需要中等容量高速存储的电子系统平台。

K4S641632FTC75广泛应用于各类需要中等容量高速存储的电子系统中。在消费电子产品领域，它常见于老式个人计算机的主板内存条（特别是UDIMM）、图形卡显存模块以及多媒体播放器中，用于缓存音视频数据和图形纹理信息。在网络通信设备方面，该芯片被用作路由器、交换机和DSL调制解调器中的数据包缓冲存储器，支持快速的数据转发和队列管理。在工业控制与嵌入式系统中，K4S641632FTC75常配合ARM、PowerPC或DSP处理器使用，为实时操作系统（RTOS）提供程序运行空间和变量存储区域，典型应用包括工业HMI界面、医疗监测设备和POS终端等。此外，由于其稳定的性能和成熟的供应链背景，该芯片也曾被用于部分早期智能手机和平板电脑的设计中，尤其是在PDA和移动互联网设备兴起的时代。尽管当前已逐渐被更先进的DDR SDRAM所取代，但在维修替换、老旧设备维护及特定工业备件市场中仍具有一定需求。

K4S641632FBC75
　　IS42S16400F-7BLI
　　MT48LC4M16A2P-75TG:L
　　HY57V641620FTP-7