产品类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　每个二极管最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　每个二极管平均整流电流（IO）：1.5 A
　　总连续正向电流（IF）：3 A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：50 A
　　最大正向电压（VF）@ 1.5 A, TJ = 25 °C：0.78 V
　　最大反向漏电流（IR）@ 100 V, TJ = 125 °C：1.0 mA
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：DFN2020
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：4
　　热阻（RθJA）：45 °C/W
　　工作结温：+150 °C

SDM100K30L的核心特性之一是其采用高性能肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值在1.5 A电流下仅为0.78 V，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。相比传统的PN结二极管，肖特基二极管的载流子传输机制主要依赖于多数载流子，因此不存在少数载流子的存储效应，从而具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间（trr < 1 ns），非常适合高频开关电源应用。这种快速响应能力有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），有助于提升系统稳定性和电磁兼容性。
　　该器件采用共阴极双二极管结构，允许在同步整流或倍压电路中灵活配置，例如用于双路输出整流或作为续流二极管与MOSFET配合使用。其额定反向电压为100 V，能够在大多数中低压电源系统中安全运行，同时具备良好的过压耐受能力。在高温环境下，SDM100K30L仍能保持较低的漏电流水平，在125 °C时最大反向漏电流仅为1.0 mA，确保了高温工况下的可靠性与能效表现。
　　DFN2020封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热性能。底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层，有效降低热阻（典型RθJA为45 °C/W），从而支持更高的持续工作电流。该封装无引线设计也增强了机械强度，避免了传统SOD/SOT封装在振动环境下的断裂风险。此外，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于对稳定性要求严苛的工业与汽车电子系统。

SDM100K30L广泛应用于多种高效率电源管理系统中。典型应用场景包括DC-DC升压/降压转换器中的输出整流与续流二极管，尤其在手持设备、智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源模块中发挥关键作用。由于其低VF特性，能够显著减少电池供电系统中的能量损耗，延长设备续航时间。在同步整流架构中，该器件可作为辅助二极管用于防止体二极管导通，提升转换效率。此外，它也常用于电源反接保护电路、OR-ing二极管、电压倍增电路以及AC-DC适配器的次级侧整流环节。
　　在工业控制领域，SDM100K30L可用于PLC电源模块、传感器供电单元和隔离式电源设计中。其高结温能力和稳定性使其适应恶劣的工作环境。在汽车电子方面，该器件适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源、LED车灯驱动及车载充电器等应用。由于满足AEC-Q101标准，具备良好的抗热冲击和耐久性，适合部署在发动机舱附近或高温区域。此外，其高频特性也使其成为无线充电接收端整流电路的理想选择，支持高达数百kHz的开关频率操作。

SDM100K30