型号：K4S640832D-TC75
　　制造商：Samsung
　　存储类型：SDR SDRAM
　　存储容量：64 Mbit
　　组织结构：4M x 8 bits
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　最大工作频率：75 MHz
　　存取时间：12 ns
　　封装类型：54-pin TSOP II
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs（典型）
　　数据宽度：8位
　　时钟频率：75MHz（CLK周期13.3ns）
　　突发长度：1, 2, 4, 8可编程或连续
　　CAS等待时间（CL）：2或3周期可选

K4S640832D-TC75具备典型的SDR SDRAM架构特性，支持同步时钟输入，所有操作均在系统时钟的上升沿触发，从而实现了与处理器或其他控制器之间的精确时序配合。该芯片内置行地址与列地址多路复用机制，通过RAS#（行地址选通）和CAS#（列地址选通）信号分时传输地址信息，有效减少了引脚数量并提高了封装效率。其内部存储阵列为4个Bank结构，每个Bank包含多个行与列的存储单元，支持快速的页面模式访问，当连续访问同一行内的不同列时，无需重复激活行地址，显著提升了数据吞吐率。芯片支持标准模式下的读写操作、自动刷新和自刷新功能，其中自动刷新由外部控制器定期发起，用于维持数据完整性；而自刷新模式可在系统低功耗状态下由内部电路维持刷新操作，适合待机或休眠应用。
　　此外，K4S640832D-TC75支持多种突发传输模式，包括突发长度为1、2、4、8及整页连续模式，用户可通过模式寄存器设置来配置所需的工作方式，以适应不同的带宽需求。CAS等待时间（CL）支持2或3个时钟周期的选择，允许在速度与稳定性之间进行权衡。该器件还具备写使能（WE#）、片选（CS#）和时钟使能（CKE）等控制信号，增强了系统的灵活性与电源管理能力。CKE信号可用于暂停时钟输入，进入时钟挂起状态，从而降低动态功耗。整体设计注重可靠性与兼容性，符合JEDEC标准规范，确保与其他SDRAM控制器的良好互操作性。由于其成熟的工艺与稳定的性能表现，K4S640832D-TC75曾在通信设备、工控主板和消费类电子产品中广泛应用，尽管目前已被更高密度、更低功耗的DDR系列逐步取代，但在一些老旧系统维护和替代维修场景中仍具有重要价值。

K4S640832D-TC75主要用于需要稳定、可靠且成本适中的同步动态内存的应用场合。典型应用包括工业自动化控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）和HMI（人机界面）设备，这些系统通常要求长时间运行和良好的环境适应性，而该芯片在0°C至70°C的商业级温度范围内表现出色。在网络设备领域，如路由器、交换机和DSL调制解调器中，K4S640832D-TC75曾作为主内存或缓存单元使用，支持数据包的临时存储与转发处理。在嵌入式系统中，尤其是一些基于ARM7、ARM9或PowerPC架构的早期嵌入式处理器平台，该芯片常被用作外部扩展内存，以满足操作系统运行和应用程序加载的需求。此外，在部分老款打印机、复印机、POS终端和医疗监测设备中也能见到其身影。由于其8位数据宽度的设计，特别适用于数据总线较窄的微控制器系统，避免了资源浪费。虽然现代高端设备已转向DDR2/DDR3甚至LPDDR系列，但K4S640832D-TC75仍在设备维修、备件替换和小批量生产中发挥着作用，尤其是在维持原有硬件架构不变的前提下，是理想的原厂配套选择。同时，它也常被用于教学实验平台和电子爱好者项目中，帮助学习SDRAM的基本工作原理与时序控制方法。

K4S640832D-TC60
　　K4S640832D-UC75
　　IS42S16100D-7TL